报道称，SK海力士美国子公司Solidigm正与美国商务部洽谈，拟投资450亿美元在美国新建一座芯片工厂，同时计划升级其大连NAND闪存工厂所用的技术，并将这些技术迁移到新的美国工厂。
知情人士称，Solidigm需要获得美国政府的许可，才能向大连厂运送新的芯片设备，以升级现有工厂并从其运营中获取更多收入——而这些收入将有助于为新美国工厂提供资金。
Solidigm已告知美国商务部，美国工厂的总投资额最终可能接近1000亿美元，并已考虑将纽约州等地作为新厂选址，新厂最早可能于2027年动工。
此番美国投资计划的酝酿，正值Solidigm决定搁置规模可能达100亿美元的首次公开募股（IPO）——该计划因监管机构和股东的强烈反对而告吹。
Solidigm发言人证实，公司正在考虑建设一座新工厂，“目前正在探索在全球潜在地点建设NAND存储器晶圆厂的方案。尚未就任何具体行动方针做出决定。”
绝大多数闪存芯片都在亚洲生产。据美光科技介绍，其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的旧厂也生产这类半导体。美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）曾呼吁Solidigm母公司SK海力士及其竞争对手三星电子扩大美国的存储芯片产能。（校对/赵月）
