三星电子晶圆代工事业亏损有望明显收敛。市场原先认为，DRAM价格上涨与2nm晶圆订单增加，将有助三星改善晶圆代工业务表现，但最新分析指出，随着高频宽存储（HBM）需求快速成长，HBM已成为三星缩减年度亏损的重要支柱。
《Wccftech》引述《Digital Daily》报导指出，Kiwoom Securities最新分析预估，三星非存储事业的年度营业亏损将从2025年的6.74兆韩元（约51亿美元），降至2026年的3.92兆韩元（约29.5亿美元），年减约41.8%。
分析认为，亏损大幅缩减与制程技术逐步稳定有关，而HBM4制造架构的转变，也成为其中一项关键因素。
与前几代产品不同，HBM4高度依赖客制化逻辑制程，用于制造堆叠存储底部的基础裸晶（base die）。
三星采取整合元件制造商（IDM）模式，因此能自行利用旗下4nm制程生产这些关键基础裸晶。
随着AI热潮推升HBM4需求，三星的HBM产量快速增加，每一颗由三星自行生产的基础裸晶，也能进一步提高其晶圆代工产线的稼动率。
HBM产量增加已减轻晶圆代工业务的营运负担，并推升8nm及以下先进制程的稼动率至满载水准。
分析预估，三星晶圆代工事业单季营业亏损，将从过去初期阶段超过2兆韩元（约14.7亿美元），逐步收敛至7770亿韩元（约5.72亿美元）。
从目前情况来看，HBM对三星改善晶圆代工获利能力的重要性已经提升。虽然DRAM与2nm晶圆订单预期将成为三星长期成长动能，但就目前而言，HBM已成为支撑三星财务表现改善的重要业务。
此外，三星能够在同一体系内提供存储、晶圆代工与先进封装整合式服务，也有助于争取外部合作。市场分析指出，这种「Turnkey」整合方案已让三星取得包括数十亿美元规模客制化AI加速器供应协议在内的重要合作机会。
