外媒报道，英特尔财务长辛斯纳（David Zinsner）透露，下一代14A制程缺陷密度下降速度是22nm以来最佳，外部客户也从过去检视技术数据，进一步询问可取得的产能。业界认为，英特尔14A大发力，与台积电下一代先进制程竞争将更激烈。
辛斯纳在德意志银行2026科技大会表示，14A制程目前缺陷密度优于原先设定的目标曲线，下降速度也胜过过去多个制程节点，“自22nm以来，没有看过这样的表现”。
英特尔在22nm制程首度导入鳍式场效电晶体（FinFET）架构，2012年起以此设计产品，是英特尔具代表性的先进制程。辛斯纳此次比较的是14A开发阶段的缺陷下降轨迹，并非直接比较两个节点最终的缺陷密度或量产良率。
英特尔CEO陈立武7月在财报说明会上曾透露，14A缺陷密度与电晶体表现均优于18A开发同期，客户互动也持续增加，确认2027年下半年为内部产品进行风险试产，2028年进入量产。
相较18A，14A采用第二代RibbonFET环绕闸极（GAA）电晶体与新一代PowerDirect背面供电技术，High-NA EUV也规划导入。依英特尔技术蓝图，14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，或在相同性能下降低25%至35%功耗，芯片密度最高增加30%。
英特尔先进制程大发力，客户态度也转趋积极。辛斯纳透露，内部芯片设计团队已开始采用14A开发产品，陈立武与团队目前每周与外部晶圆代工客户会面。过去客户著重查看技术数据，如今关注可取得的产能以及生产安排时间，对14A外部客户需求的信心提高。
为配合2028年量产14A，英特尔已提前准备设备投资。辛斯纳指出，半导体设备从采购、进厂到装机需要时间，要让14A在2028年顺利放量，部分资本支出现在就必须启动。
