英特尔先进封装布局传捷报。外媒报道，英特尔的EMIB-T先进封装技术良率已突破九成，预计明年开始量产，成本只要台积电CoWoS的一半，轰动业界，并成功拿下联发科订单，博通、Meta等大咖也正评估采用。
由于目前先进封装产能仍供不应求，外界预期，英特尔EMIB-T现阶段不至将分食台积电先进封装生意，而是分担客户需求，但有助英特尔未来抢攻更多订单，强化自家晶圆代工业务整体实力，最终目的仍是要与台积电竞争。
市场盛传英特尔先进封装后段良率已提升至90%以上，达到可量产水平，不过英特尔过往没有发布良率相关数字，公司并未置评。
外媒《Wccftech》报道，EMIB-T的成本约比台积电CoWoS低50%，主因EMIB-T无需使用成本高昂的大面积硅中介层。
据了解，英特尔EMIB-T至少已赢得联发科ASIC指标性案件。联发科在4月法说会仅透露正投资两种封装技术方案，且会与这两种方案的伙伴紧密合作，提供客户优质高效益的解决方案。
联发科日前于法说会进一步透露，会协助客户运用CoWoS与EMIB-T技术，开发各种超大芯片尺寸的高性能ASIC，证实采用英特尔的先进封装方案。
英特尔先前公布可单独承接先进封装业务。该公司EMIB 2.5D封装方案是嵌入使用面积非常小的硅桥搭配多层布线，来取代其他方案使用的大面积硅中介层，并支持高带宽存储器（HBM）整合，标榜最适合当前的AI应用，可提供高带宽、低延迟的die-to-die连接，更弹性的小芯片配置，以及较低成本与制造复杂度。
根据英特尔发布的数据，在EMIB 2.5D方案中，EMIB-T版本加入硅穿孔（TSV）技术，强化垂直供电，并支持从其他封装技术转换设计。外媒报道，英特尔先进封装正吸引外部客户对其晶圆代工业务的关注。EMIB技术能让设计人员使用2D、2.5D与3D的构建模块，在系统级别最优化成本、功耗及带宽。
