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SEMI：2026年Q2全球硅晶圆出货量同比增长7.4%
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Q2智能手机内存价格环比上涨超80%，DRAM超SoC成最贵元器件
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2026年上半年全球智能手机SoC出货量下降15%
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机构：英伟达、博通CPO开始量产，三关键成瓶颈
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AI服务器持续挤压供给！美银再上修DRAM涨价预期：Q3合约价恐涨30-40%
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SEMI：2026年Q2全球硅晶圆出货量同比增长7.4%
7月29日，SEMI旗下Silicon Manufacturers Group (SMG)发布的硅片行业季度分析报告显示，2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3573百万平方英寸（MSI），2025年同期为3327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3275百万平方英寸环比增长9.1%。
硅晶圆是多数半导体产品的基础材料，而半导体则是所有电子装置不可或缺的核心组件。这些高度工程化的薄型圆片，直径最大可达300mm，是绝大多数半导体制造所使用的基板材料。
- Q2智能手机内存价格环比上涨超80%，DRAM超SoC成最贵元器件
Counterpoint Research最新数据显示，2026年第二季度智能手机内存价格环比上涨超80%，导致各价位段机型BOM成本显著上升。
与2025年同期相比，相同配置的低端机型BOM成本同比增长70%，几乎所有增长均由存储驱动；中端机型BOM成本增长52%，内存占总BOM成本的40%；旗舰机型BOM成本增长近50%。此外，DRAM已超越SoC成为旗舰智能手机中最昂贵的单一元器件。据估算，1TB版iPhone 18 Pro Max相比去年同容量的iPhone 17 Pro Max成本上涨近300美元。
报告还指出，未来2nm旗舰SoC的导入将进一步推高旗舰机型BOM成本，即便OEM上调售价，整体毛利率预计仍将略低于2025年同代旗舰产品水平。
3. 2026年上半年全球智能手机SoC出货量下降15%
7月29日，市调机构Counterpoint Research在报告中指出，受内存成本上升、智能手机OEM厂商谨慎的库存管理以及更长的更换周期等因素影响，2026年上半年全球智能手机SoC出货量同比下降15%。
2026年上半年，联发科和高通的芯片出货量同比下降超过25%。与此同时，苹果、三星、谷歌和紫光展锐在此期间的芯片出货量均实现了稳健增长。
该机构高级分析师Shivani Parashar在评论智能手机SoC厂商动态时表示：“许多入门级智能手机机型正在向紫光展锐的4G平台迁移，以降低物料清单成本，这将有助于紫光展锐在2026年上半年实现增长。此外，紫光展锐通过与Pocophone和Redmi的合作，在5G应用方面取得了显著进展。”
Counterpoint Research预计2026年全球智能手机SoC出货量将同比下降14%。入门级市场受影响最大，今年出货量可能同比下降超过30%。
4. 机构：英伟达、博通CPO开始量产，三关键成瓶颈
TrendForce表示，随着英伟达出货新一代Spectrum-X CPO交换器给部分合作伙伴、博通的51.2T Bailly CPO交换器持续小量出货，象征共同封装光学(CPO)正式迈入量产阶段。然而，光引擎、硅光子芯片、先进封装等核心元件的供给能力，将成为影响CPO交换器扩产速度的关键因素。
TrendForce表示，Spectrum-X CPO交换器由英伟达与台积电合作开发，采用COUPE先进封装制程，处理能力达400 Tb/s，2026下半年产能将进一步扩大。博通51.2T Bailly CPO交换器由合作伙伴台达电、Micas Networks协助导入量产，较传统可插拔光收发模组可降低功耗达70%，已有Meta等超大规模厂商完成部署验证。
CPO整合光学元件至交换器ASIC周边，达到降低功耗的效果，成为下一代高频宽交换器的核心发展方向。但据TrendForce观察，CPO交换器正面临三项供给瓶颈。首先，光引擎须整合雷射、调变器等元件，制程复杂、对良率要求高，加上热管理问题，仅有少数供应商具备量产能力。
其次，由于硅光子晶圆代工、后段封装对精度与可靠度要求高，产能建置周期较长，短期内供给弹性不足。此外，CPO交换器对COUPE等先进封装制程依赖程度大幅提升，但AI芯片、高性能计算(HPC)也在竞争同类封装产能，导致CPO供应链资源持续受到压缩。
面对供应链压力，领先厂商的应对策略呈现明显分化。部分云端巨头透过长期采购协议锁定供给，并战略投资上游硅光子厂商。英伟达与掌握先进封装产能的台积电深化合作，达成垂直整合。Google等厂商则加速自研光学元件，以降低对外部供应商的依赖。
TrendForce预期，垂直整合将成为新常态，能自主掌握硅光子设计、光引擎制造与先进封装资源的厂商，将能在2027至2028年CPO交换器市场放量周期中取得领先优势。
5. AI服务器持续挤压供给！美银再上修DRAM涨价预期：Q3合约价恐涨30-40%
根据美银全球研究部7月下旬最新渠道调查，存储涨价强度正从“现货脉冲”渗入“季度合约”，更多二线OEM与模组厂已接受7月PC DRAM合约价较6月再涨15-20%，第三季DRAM预计将直接翻倍，平均售价涨幅恐达30-40%，明显高于TrendForce此前给出的13-18%预测。
本轮看点不在现货报价，而在下游把更高价格写进采购预算。根据美银调查，16Gb DDR5现货约50美元，DDR4现货约80美元 (非公开行情均值)；64GB服务器模组合约破1000美元，DDR5版本约1400美元。
涨价从PC、服务器到高端DRAM同步体现，主要因为HBM、高容量服务器DRAM持续吸走晶圆产能，普通PC DRAM与部分DDR4被挤出。
谷歌母公司Alphabet今年Q2云端营收年增82%、积压订单5140亿美元，公司将2026年资本支出指引由1800-1900亿美元上调至1950-2050亿美元，并重申 2027年“大幅增加”，美银模型更估计今年资本资出约1995亿美元。
按照美银上述假设，2027年存储采购量恐年增至少50%，这也解释了为何三星、SK海力士、美光对云端厂商资本支出预期高度敏感。
根据韩国海关数据，该国7月前20天出口额549亿美元，年增52.3%，其中半导体出口额221亿美元，年增 80.6%，占比达40.3%。
三星电子预计7月30日将召开Q2财报电话会议，市场关注是否宣布大规模回购，或提前发放2026年部分股利。
对存储族群而言，涨价是基本面、AI资本支出是需求支撑、回购分红是情绪加分，三者叠加提高关注度，但不能取代订单与利润率兑现。
美银认为，DRAM涨价持续性看两大方面；一，谷歌2027年近3000亿资本支出是美银估算，若云端厂商放缓数据中心建设，采购节奏将被拉长；二，DRAM均价Q2涨速将从53%，Q3降至21%，Q4变为7%，涨幅逐季下降，而在韩股“强基本面、高槓杆波动”的背景下，合约价超预期是厂商获利弹性，却非估价的免疫符。
