美光宣布为英伟达量产HBM4内存, 带宽超2.8TB/s

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美光科技宣布,其专为英伟达Vera Rubin GPU平台设计的36GB 12-Hi HBM4显存已实现量产。在英伟达GTC 2026大会上,美光同时宣布了业界首款PCIe 6.0数据中心SSD和全新 SOCAMM2模块的量产消息,使其成为首家同时为Vera Rubin生态系统提供这三款量产产品的内存供应商。

这款HBM4 36GB 12-Hi堆叠的引脚速度超过11 Gb/s,带宽超过2.8 TB/s。根据美光内部功耗计算器的数据,与相同36GB 12-Hi配置的美光HBM3E相比,带宽提高了2.3倍,能效也提升了20%以上。

据报道,美光科技已向客户交付了48GB 16-Hi HBM4芯片堆叠样品。与36GB 12-Hi产品相比,新增的四层芯片使16H配置的单颗HBM容量提升了33%,这一里程碑式的进步预示着未来AI加速器将采用更高密度的配置。

上个月,该公司宣布9650 SSD已进入量产阶段,这是PCIe 6.0 SSD首次进入量产阶段。该硬盘支持高达28 GB/s的顺序读取速度和550万随机读取IOPS,在每瓦性能提升100%的情况下,读取性能比PCIe 5.0提升了一倍。不出所料,它面向液冷环境下的AI推理、训练和智能体工作负载,并针对英伟达BlueField-4 STX参考架构进行了优化。

同时,192GB SOCAMM2内存模块专为Nvidia Vera Rubin NVL72系统和独立Vera CPU平台设计,美光的SOCAMM2产品组合涵盖48GB至256GB的容量。Vera Rubin平台使用该模块后,每个CPU最高可支持2TB内存和1.2 TB/s的带宽。(校对/赵月)

责编: 李梅
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