近日，高通公司在印度芯片设计领域实现重要突破，展示了其在该国持续深耕的研发成果。这一里程碑于2月7日公布——高通技术公司宣布已完成2nm半导体设计的流片，标志着印度在先进芯片设计领域迈出关键一步。
在印度铁道部、信息与广播部及电子与信息技术部部长阿什维尼·瓦伊什纳夫参观高通位于班加罗尔的工厂期间，该成果得以正式呈现。高通表示，此项进展不仅体现了其全球工程实力，也凸显了其在班加罗尔、钦奈和海得拉巴的研发中心之间的高效协作。这些研发基地已成为高通在美国以外规模最大、技术最先进的工程团队之一。
公司指出，这一成就进一步巩固了印度作为尖端半导体开发重要枢纽的地位，并展现出高通对支持与加速印度半导体产业发展的长期承诺。
阿什维尼·瓦伊什纳夫部长在参观中表示：“印度正日益成为先进半导体技术未来设计的核心地区。高通在印度展现出的工程实力、深厚的设计能力以及长期投入令人印象深刻。此类里程碑表明，印度设计生态系统已取得长足进步，并与我国打造具有全球竞争力半导体产业的愿景高度契合。”
印度电子信息技术部副部长兼半导体使命首席执行官阿米特什·库马尔·辛哈指出：“在日益完善的设计生态系统及行业持续参与的支持下，印度半导体使命正稳步推进。对先进工程与研发能力的投入对构建本土长期半导体产能至关重要。高通对印度的长期承诺，反映了印度半导体设计生态的不断成熟，并将助力印度实现成为全球半导体创新中心的目标。”
高通印度工程高级副总裁斯里尼·马达利称：“这一成就充分证明了我们在印度工程团队的强大实力与专业深度。开展先进半导体设计需与全球项目及架构团队紧密协作，而我们的印度团队始终保持着世界级水准。我们与印度及全球众多伙伴合作，共同推进数字化转型进程。印度一直是我们全球工程路线图的重要组成部分，本次里程碑再次彰显了印度团队的卓越能力与影响力。”
另一名高通工程高级副总裁沙希·雷迪补充道：“我们在印度的研发中心在系统设计的多个层面——从架构到实现，从软件平台到用例优化——均做出了重要贡献。”
高通在印度的投资已超过二十年，在此期间逐步建立起规模位居美国以外前列的工程研发体系。此次2nm设计流片的完成，进一步印证了印度在全球半导体创新链中日益提升的地位。
