12月3日，英诺赛科连发两则自愿公告，披露公司近期两大重要进展：在与英飞凌的337调查案件中胜诉，知识产权状态获明确；同时与安森美半导体达成战略合作，共同推进氮化镓产业生态建设，为全球化发展与业务拓展奠定双重基础。
公告显示，美国东部时间2025年12月2日，针对英飞凌发起的涉及英诺赛科的337调查案件，美国国际贸易委员会（ITC）正式发布裁决结果。在涉案的两项专利中，ITC明确裁定其中一项专利英诺赛科完全不侵权；对于另一项专利，英诺赛科当前产品所使用的规避设计方案也被认定为完全不侵权。英诺赛科董事会表示，此次裁决进一步明确了公司相关知识产权状态，将为未来全球化发展扫清关键障碍，公司将持续尊重与保护知识产权，致力于为全球客户提供卓越的硅基氮化镓功率解决方案。
同日，英诺赛科宣布与安森美半导体（纳斯达克股份代号：ON）达成战略合作协议。根据协议，双方将依托英诺赛科成熟的8英寸硅基氮化镓工艺，通过晶圓采购等合作形式，整合英诺赛科在氮化镓制造领域的先进能力与安森美半导体在系统封装及集成领域的丰富经验和优势，加速推动氮化镓技术在新能源汽车、人工智能、数据中心、工业等关键领域的快速落地。此次合作有望在未来几年为英诺赛科带来数亿美元的氮化镓产品销售额，同时为双方在核心应用领域的市场开拓与战略布局创造先发优势。
