（文/罗叶馨梅）Yole Intelligence指出，打破“内存墙”瓶颈，HBM（高带宽存储器）已成为DRAM市场增长的主要驱动力。HBM能够有效解决带宽瓶颈、功耗过高和容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。
市场研究机构Yole预计，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，年复合增长率（CAGR）高达33%。SK海力士表示，HBM的引入不仅显著提升了AI性能，其增长速度甚至超越了传统内存演进，有效打破了长期存在的内存墙限制。
从产业链角度看，民生证券分析称，HBM产业上游包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等；中游为HBM生产；下游主要应用于人工智能、数据中心和高性能计算。在制造环节中，TSV（硅通孔）工序是主要难点，涉及光刻、涂胶、刻蚀等复杂工艺，价值量最高。分析人士认为，国产HBM量产势在必行，设备和材料厂商有望迎来扩产机遇。
多家A股公司在HBM产业链已展开布局。赛腾股份表示，公司HBM检测设备已获海外大客户认可并批量出货，国内市场正在积极拓展。中微公司则在先进封装领域（包含HBM工艺）全面布局，涉及刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测等设备，并已发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。
业内人士认为，随着AI和高性能计算需求持续释放，HBM需求有望保持高增长。国产HBM的加速突破，将成为提升国内半导体自主可控能力的重要一环。（校对/秋贤）
