天眼查显示，无锡华润上华科技有限公司 “横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119451184A。
本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成体区；于衬底上形成注入掩蔽结构，注入掩蔽结构覆盖于衬底的部分表面；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的正投影内；由体区至衬底边缘的方向，注入掩蔽结构沿第一方向的厚度递减；第一方向平行于衬底的厚度方向；于衬底内形成漂移区；漂移区与体区邻接，由体区至衬底边缘的方向，漂移区沿第一方向的深度递增。如此，一方面，有利于降低漂移区靠近沟道区一端的电场，提升器件的可靠性；另一方面，有利于降低Kirk效应，提升开态击穿电压。
