精测半导体“一种薄膜参数的测量方法”专利公布

作者：爱集微 01-03 20:20

来源：爱集微 #精测半导体#

6669

天眼查显示，上海精测半导体技术有限公司“一种薄膜参数的测量方法”专利公布，申请公布日为2024年11月29日，申请公布号为CN119044075A。

本发明实施例公开一种薄膜参数的测量方法，该方法包括：构建薄膜的模型函数并获取薄膜的测量光谱，模型函数用于对测量光谱进行拟合；获取模型函数中的各个待测参数的灵敏度，并获取灵敏度中灵敏度最小的第一待测参数和/或待测参数中灵敏度最大的第二待测参数，得到目标待测参数；获取目标待测参数对应的灵敏度修正项，并将模型函数中的目标待测参数替换为灵敏度修正项得到第一改进模型函数，灵敏度修正项是因变量为目标待测参数的表达式；以及基于测量光谱和第一改进模型函数，通过非线性回归方法确定待测参数的测量值。本发明实施例基于非线性回归方法迭代求解待测参数，能够避免整体跳过参数最优解，提高待测参数的测量准确度。