1.靴子落地 140家中国半导体企业被列入实体清单（附名单）
2.专利私掠战：海外PAE利用中兴专利狙击小米，深究背后分成关系利益链
3.破茧成蝶，理想晶延高端装备护航中国光伏从“跟跑”到“领跑”
4.美国对华最新芯片出口管制出台，最终规则披露！
5.Microchip将关闭亚利桑那州工厂，影响500名员工
6.2024年通用NAND价格下跌超50% 三星、铠侠计划减产
7.美国芯片管制收紧，传思科禁止供应商提供中国大陆制造的产品
1.靴子落地 140家中国半导体企业被列入实体清单（附名单）
12月2日晚间，美国《联邦公报》最新文件显示，美国工业和安全局 (BIS) 修订了《出口管理条例》(EAR)，将 140个中国半导体行业相关实体添加到“实体清单”。
以下是此次被列入实体清单的企业名单（中文校对中）：
AccoTest Technology Co., Ltd. (Hong Kong)
华峰测控科技有限公司（香港）
ACM Research (Shanghai)
盛美（上海）有限公司
Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd.
北京屹唐半导体技术有限公司
Beijing Guangke Xintu Technology Co., Ltd.
北京光科芯图（北京）科技有限公司
Beijing Guowei Integration Technology Co., Ltd.
北京国微集成技术有限公司
Beijing Huada Jiutian Technology Co., Ltd.
北京华大九天科技有限公司
Beijing Huafeng Electronic Equipment Co., Ltd.
北京华峰装备技术有限公司
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
北京华峰测控技术股份有限公司
Beijing Jingyuan Microelectronics Technology Co., Ltd.
北京晶源微电子科技有限公司
Beijing Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.
北京凯世通半导体有限公司
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
北京北方华创微电子设备有限公司
Beijing Naura Semiconductor Equipment Co., Ltd.
北京北方华创半导体设备有限公司
Beijing Sevenstar Flowmeter Co., Ltd.
北京华丞电子有限公司
Beijing Sevenstar Integrated Circuit Equipment Co., Ltd.
北京七星华创集成电路设备有限公司
Beijing Shuoke Zhongkexin Electronic Equipment Co., Ltd.
北京烁科中科信电子设备有限公司
Beijing Skyverse Technology Co., Ltd.
北京中科飞测科技有限公司
Beijing Zhongke Xin Electronic Equipment
北京中科信电子设备有限公司
Changguang Jizhi Optical Technology Co., Ltd.
长光集智光电技术有限公司
Changsha Zhichun Application Technology Co., Ltd.
长沙至纯应用科技有限公司
Chengdu Huada Jiutianke Technology Co., Ltd.
成都华大九天科技有限公司
Chengdu Skyverse Technology Co., Ltd.
成都中科飞测科技有限公司
Chinese Academy of Sciences Institute of Microelectronics
中国科学院微电子研究所
Dongfang Jingyuan Electron Co., Ltd.
东方晶源电子有限公司
Guangzhou Huada Jiutian Technology Co., Ltd.
广州华大九天科技有限公司
Guangzhou Skyverse Technology Co., Ltd.
广州中科飞测科技有限公司
Guowei Group (Shenzhen) Co., Ltd.
国微集团（深圳）有限公司
Hefei Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.
合肥凯世通半导体有限公司
Hefei Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
合肥北方华创微电子设备有限公司
Hefei Zhihui Semiconductor Application Technology Co., Ltd.
合肥至汇半导体应用技术有限公司
Hefei Zhiwei Microelectronics Co., Ltd.
合肥至微微电子有限公司
Hefei Zhiwei Semiconductor Co., Ltd.
合肥至微半导体有限公司
Huafeng Test & Control Technology (Tianjin) Co., Ltd.
华峰测控技术（天津）有限责任公司
Hwa Tsing (Beijing) Technology Co., Ltd.
华海清科（北京）科技有限公司
Hwa Tsing (Guangzhou) Semiconductor Co., Ltd.
华海清科（广州）半导体有限公司
Hwa Tsing (Shanghai) Semiconductor Co., Ltd.
华海清科（上海）半导体有限公司
Hwa Tsing Technology Co., Ltd.
华海清科科技有限公司
JAC Capital
建广资本
Jiangsu Nata Optoelectronic Material Co., Ltd.
江苏南大光电材料有限公司
Jiangsu Qiwei Semiconductor Equipment Co., Ltd.
江苏启微半导体设备有限公司
Jiangsu Zhichun System Integration Co., Ltd.
江苏至纯系统集成有限公司
Kingstone Technology Hong Kong Limited
凯世通科技有限公司（香港）
Nanda Optoelectronic Semiconductor Materials Co., Ltd.
南大光电半导体材料有限公司
Nanjing Huada Jiutianke Technology Co., Ltd.
南京华大九天科技有限公司
Naura Technology Group Co., Ltd.
北方华创科技集团有限公司
Ningbo Nanda Optoelectronic Materials Ltd.
宁波南大光电材料有限公司
Northern Integrated Circuit Technology Innovation Center (Beijing) Co., Ltd.
北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
Oriental Crystal Microelectronics Technology (Qingdao) Co., Ltd.
东方晶源微电子技术（青岛）有限公司
Oriental Crystal Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.
东方晶源微电子技术（上海）有限公司
Piotech
拓荆科技
Piotech (Beijing) Co., Ltd.
拓荆科技（北京）有限公司
Piotech (Shanghai) Co., Ltd.
拓荆科技（上海）有限公司
Piotech Chuangyi (Shenyang) Semiconductor Equipment Co., Ltd.
拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
Piotech Jianke (Haining) Semiconductor Equipment Co., Ltd.
拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
Qingxin Technology Co., Ltd.
清芯科技有限公司
Quanjiao Nanda Optoelectronic Materials Ltd.
全椒南大光电材料有限公司
Raintree Scientific Instruments (Shanghai) Corporation
睿励科学仪器（上海）有限公司
Ruili Microelectronics Equipment (Shanghai) Co., Ltd.
睿励微电子设备（上海）有限公司
Shandong Feiyuan Gas Co., Ltd.
南大光电（淄博）有限公司
Shanghai AGM Gas Co., Ltd.
上海AGM气体有限公司
Shanghai Aipusi Precision Equipment Co., Ltd.
上海艾璞思精密设备有限公司
Shanghai Feiai Technology Co., Ltd.
上海飞埃技术有限公司
Shanghai Huada Jiutian Information Technology Co., Ltd.
上海华大九天信息技术有限公司
Shanghai Integrated Circuit Equipment & Materials Industry Innovation Center Co., Ltd.
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
Shanghai Jingce Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海精测半导体科技有限公司
Shanghai Jingzhuo Information Technology Co., Ltd.
上海景卓信息科技有限公司
Shanghai Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.
上海凯世通半导体有限公司
Shanghai Lingang Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.
上海临港凯世通半导体有限公司
Shanghai Lizhi Technology Co., Ltd.
上海砺致科技有限公司
Shanghai Modern Advanced Ultra-Precision Manufacturing Center Co., Ltd.
上海现代先进超精密制造中心有限公司
Shanghai Nanpre Mechanics Co., Ltd.
上海微高机械精密工程有限公司
Shanghai Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
上海北方华创微电子设备有限公司
Shanghai Siwave Technology Co., Ltd.
上海芯物科技有限公司
Shanghai Skyverse Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海中科飞测半导体科技有限公司
Shanghai Xinsheng Jingrui Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海新昇晶睿半导体科技有限公司
Shanghai Xinsheng Jingtou Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海新昇晶投半导体科技有限公司
Shanghai Xinsheng Jinko Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海新昇晶科半导体科技有限公司
Shanghai Xinsheng Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海新昇半导体科技有限公司
Shanghai Yanquan Technology Co., Ltd.
上海岩泉科技有限公司
Shanghai Yuliangsheng Technology Co., Ltd.
上海宇量昇科技有限公司
Shanghai Yuwei Semiconductor Technology Co., Ltd.
上海御微半导体科技有限公司
Shanghai Zhichun Alloy Manufacturing Co., Ltd.
上海至纯合金制造有限公司
Shanghai Zhichun Electronic Technology Co., Ltd.
上海至纯电子技术有限公司
Shanghai Zhichun Optoelectronic Equipment Co., Ltd.
上海至纯光电设备有限公司
Shanghai Zhichun Precision Gas Co., Ltd.
上海至纯精密气体有限公司
Shanghai Zhichun Precision Manufacturing Co., Ltd.
上海至纯精密制造有限公司
Shanghai Zhichun Purification System Technology Co., Ltd.
上海至纯净化系统技术有限公司
Shanghai Zhichun Semiconductor Equipment Co., Ltd.
上海至纯半导体设备有限公司
Shanghai Zhichun System Integration Co., Ltd.
上海至纯系统集成有限公司
Shanghai Zhijia Semiconductor Gas Co., Ltd.
上海至嘉半导体气体有限公司
Shanghai Zixi Optical Technology Co., Ltd.
上海紫锡光电科技有限公司
Shengmei Semiconductor Equipment (Beijing) Co., Ltd.
盛美半导体设备（北京）有限公司
Shengmei Semiconductor Equipment Wuxi Co., Ltd.
盛美半导体设备（无锡）有限公司
Shengwei Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.
盛帷半导体设备（上海）有限公司
Shenyang Xinyuan Micro Business Development Co., Ltd.
沈阳芯源微商业发展有限公司
Shenyang Xinyuan Microelectronic Equipment Co., Ltd.
沈阳芯源微电子设备有限公司
Shenzhen Guowei Hongbo Technology Co., Ltd.
深圳国微鸿博科技有限公司
Shenzhen Guowei Sensing Technology Co., Ltd.
深圳国微传感技术有限公司
Shenzhen Guoweichip Technology Co., Ltd.
深圳国微芯片科技有限公司
Shenzhen Huada Jiutianke Technology Co., Ltd.
深圳华大九天科技有限公司
Shenzhen Jingyuan Information Technology Co., Ltd.
深圳晶源信息技术有限公司
Shenzhen Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
深圳北方华创微电子设备有限公司
Shenzhen Pengxinxu Technology Co., Ltd.
深圳鹏芯旭科技有限公司
Shenzhen Qianhai Skyverse Semiconductor Technology Co., Ltd.
深圳前海中科飞测半导体科技有限公司
Shenzhen SiCarrier Technologies Co., Ltd.
深圳新凯来科技有限公司
Shenzhen Xinkailai Industrial Machinery Co., Ltd.
深圳新凯来工业机械有限公司
Shenzhen Zhangge Instrument Co., Ltd.
深圳章阁仪器有限公司
Si’En Qingdao Co. Ltd.
芯恩青岛有限公司
Skyverse
中科飞测
Skyverse Limited
中科飞测有限公司
SMIC Advanced Technology R&D (Shanghai) Corporation
中芯国际先进技术研发（上海）有限公司
Suzhou Nanda Optoelectronic Materials Co., Ltd.
苏州南大光电材料有限公司
SwaySure Technology Co., Ltd.
深圳市昇维旭技术有限公司
Taiyuan Jinke Semiconductor Technology Co., Ltd.
太原晋科半导体科技有限公司
Ulanqab Nanda Microelectronics Materials Co., Ltd.
乌兰察布南大微电子材料有限公司
Wingtech Technology Co., Ltd.
闻泰科技有限公司
Wise Road Capital
智路资本
Wuhan Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
武汉北方华创微电子设备有限公司
Wuhan Skyverse Semiconductor Technology Co., Ltd.
武汉中科飞测半导体科技有限公司
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Company Limited
武汉新芯半导体制造有限公司
Wuhan Yiguang Technology Co., Ltd.
武汉颐光科技有限公司
Wuxi Kaishitong Technology Co., Ltd.
无锡凯世通科技有限公司
Wuxi Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
无锡北方华创微电子设备有限公司
Xiamen Skyverse Technology Co., Ltd.
厦门中科飞测科技有限公司
Xi’an Huada Jiutian Technology Co., Ltd.
西安华大九天科技有限公司
Xi’an Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.
西安北方华创微电子设备有限公司
Xinlian Rongchuang Integrated Circuit Industry Development (Beijing) Co., Ltd.
芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司
Yusheng Micro Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
御盛微半导体（上海）有限公司
Yuwei Semiconductor Technology Co., Ltd.
御微半导体科技有限公司
Zhangjiang Laboratory
张江实验室
Zhejiang Shenqihang Technology Co., Ltd.
浙江申启航科技有限公司
Zhejiang Zhichun Precision Manufacturing Co., Ltd.
浙江至纯精密制造有限公司
Zhiwei Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
至微半导体（上海）有限公司
Zhiyi High Purity Electronic Materials (Shanghai) Ltd.
至一高纯电子材料（上海）有限公司
Zhuhai Cornerstone Technology Co., Ltd.
珠海基石科技有限公司
Zhuhai Skyverse Technology Co., Ltd.
珠海中科飞测科技有限公司
Zibo Keyuanxin Fluorine Trading Ltd.
淄博科源芯氟商贸有限公司
Japan
Kingsemi Japan K.K.
凯世通半导体日本有限公司
Singapore
Skyverse Pte. Ltd.
中科飞测私人有限公司
South Korea
ACM Research Korea Co., Ltd.
盛美韩国有限公司
Empyrean Korea
华大九天韩国
2.专利私掠战：海外PAE利用中兴专利狙击小米，深究背后分成关系利益链
近日，据海外知识产权媒体《IP Fray》报道，美国得克萨斯州的NPE（非专利实施实体）公司——Advanced Standard Communication LLC（ASC），向欧洲统一专利法院（UPC）德国慕尼黑地方分院提起诉讼，指控小米侵犯其持有的移动通信技术专利。涉案专利EP3016464（“发现信号测量的方法、基站及终端”）的原始权利人为中国企业中兴通讯（ZTE）。IP Fray认为这个案子更广泛的连锁反应是：中兴通讯加大了其专利货币化的努力。这也触发了联想在英国的先发制人行动。
ASC并不是一项技术开发型公司，而是一家典型的PAE（专利主张实体），通过收购专利进行诉讼以牟利。事实上，这并不是NPE或PAE第一次从中兴购买专利。根据美国专利商标局（USPTO）数据库的不完全统计，自2017年以来，中兴已向美国、日本等国家/地区的多家NPE转让了多达245项美国专利，买方包括Ox Mobile Technologies LLC（OMT）、IP Bridge及ASC等；其中，ASC向中兴购买的专利数量最多，共计达55项，超过了总数的1/5。
表1：2017-2023年中兴公司与主要NPE机构之间的美国专利交易部分统计
令人担忧的是，除ASC外，其他与中兴进行过专利交易的NPE机构，近年来也频频针对中国主要移动通讯设备制造商发起专利侵权诉讼。以OMT的德国子公司Ox Mobile Technologies GmbH为例，该公司于2022年9月、12月先后向德国慕尼黑地方法院提起针对小米、Realme的专利侵权诉讼。涉案专利均为欧洲专利EP2068582B1（基于随机介入信道的切换接入方法和装置），其原始权利人即为中兴。此外，中兴专利的另一主要买家IP Bridge，自2016年起陆续在德国、美国、英国等地分别起诉TCL、HTC、联想、华为、OPPO、小米等中国公司。
专利私掠背后的串谋机制：权利转让与利益共享
专利私掠者通常通过收购他人的专利，再通过诉讼向潜在被告索取赔偿。中兴与ASC的交易便是典型的专利私掠行为。值得注意的是，PAE并不从事技术开发，而是充当“专利打手”的角色，专门通过收购专利并将其用于诉讼，迫使被告支付高额费用。
例如，在G+ Communications诉三星的案件中，G+收购了中兴的多项专利，并向三星发起侵权诉讼。庭审记录显示，G+成立于2020年8月；同年9月，G+便通过一份专利购买协议收购了涉案专利。事实上，G+的唯一员工Jeremy Pitcock也承认，G+是作为一个“特殊目的载体，用于持有和授权这些中兴的专利”而设立的；他同时表示，中兴与G+“从一开始的共同利益就是行使中兴的专利”。反映在上述专利购买协议中，该协议规定，中兴“保留从G+授权所声称专利而产生的所有收益中的净特许权使用费的20%”，同时承诺在专利交易完成后与买方G+合作推进授权工作，以使得买方“能够享有专利的最大范围的权利、所有权和利益”。不仅如此，三星电子在该案庭审中援引其与中兴之间的许可谈判的相关证据表示，“中兴明知且故意地未将涉案专利包含在其对三星电子的许可中，同时还隐瞒了其将涉案专利转让给G+的事实”。这位G+的操盘手美国律师Jeremy Pitcock在其官方主页介绍其目前的业务涉及为客户提供知识产权各个领域的咨询服务，特别侧重于专利诉讼。
专利私掠的扩张趋势：中国企业面临严峻挑战
上述案件反映了近年来，专利私掠行为规模急剧扩大。国际知名商业咨询机构Stout 2023年1月发布的《标准必要专利私掠者报告》（Standard Essential Patent Privateer Report）显示，仅在过去十年中，就有超过100起实业公司将蜂窝技术SEP转让给PAE机构的交易。经过频繁的收购，全球近5万个已知有效的5G多制式（multimode）SEP系列专利同族（每个同族至少有一个专利已被直接宣布为5G和/或旧一代的必要标准）中，已有约超过1100个专利同族掌握在PAE机构手中。
这一现象背后值得深思的是，PAE日渐增长的专利持有量，叠加PAE私掠者开出的高额要价费率，将给智能手机制造商等标准实施者带来难以承受的沉重负担。根据Stout的估算，每个私掠者所拥有的SEP的每个专利族特许费中位数总和（3G-5G），相当于每台手持设备平均销售价格的0.00491%，是非私掠者（0.00033%）的14.8倍。若将PAE索取的超额费率乘以每个相关标准代际的活跃单模专利族总数，则每台手持设备的潜在蜂窝SEP专利费累计负担总额，将达到其平均销售价格的164.07%之巨。换言之，如果继续任由PAE扩大其持有的SEP规模，移动通讯设备的生产将变得无利可图。此外，PAE私掠者的存在也为部分实业公司绕开标准组织与司法机关的监管、通过非正当手段阻碍竞争对手的产品布局与发展战略提供了便利。毋庸置疑，专利私掠的上述种种危害都将从根本上破坏SEP许可之公平、合理、无歧视（FRAND）基础原则，进而恶化行业竞争与合作生态，导致技术创新延缓乃至停滞，同时损害消费者与全社会的共同利益。
需要注意的是，小米、OPPO、Vivo、华为、荣耀、TCL等中国企业，作为全球智能手机和通信设备的主要制造商，这些中国企业正成为这些专利私掠者的重点目标。未来这一问题还会延伸到智能汽车、IoT等中国厂商。对于中国企业来说，NPE或PAE的持续诉讼不仅会将带来巨大的经济压力，还可能影响其在全球市场的竞争力。
结语：专利私掠的危害深远，团结应对刻不容缓
专利私掠行为不仅扰乱了全球专利市场，还威胁到中国企业的长远发展。PAE通过收购专利并进行恶性诉讼的行为，PAE破坏了公平的竞争环境，也为一些不正当的竞争手段提供了可乘之机。在这一过程中，专利权人将个体短期利益凌驾于行业整体利益之上，最终可能导致市场的严重失衡。
面对这种私掠威胁，中国企业需要更加团结，秉持公平、公正的原则，共同推动行业创新与进步发展，避免被专利私掠所拖累。唯有如此，才能在全球市场中稳步前行，确保自身的长足发展，进而构建健康的专利生态，健康成长。
3.破茧成蝶，理想晶延高端装备护航中国光伏从“跟跑”到“领跑”
经过几十年发展，我国光伏产业从无到有，已形成技术研发活跃、产业链完整齐备、端到端自主可控且具有国际竞争优势的战略性新兴产业。根据中国光伏行业协会数据，2023年我国在多晶硅、硅片、电池片、组件四大核心环节产量分别占到全球总产量的91.6%、98.1%、91.9%、84.6%，占据绝对领先地位。
光伏企业对降本增效的持续追求，技术更迭日新月异，推动了设备需求的持续增长。为了保持竞争力，产业链下游企业纷纷引入更先进的设备，使得关键光伏设备更新换代周期不断缩短，这种快速的技术迭代不仅加速了光伏行业整体的技术进步，也为光伏设备厂商提供了广阔的发展空间。
在传统光伏电池升级换代加速的进程中，镀膜是一道重要工序，直接关系到光电转换效率。因此，在太阳能电池生产线的设备总投资中，镀膜设备和背钝化设备占据了相当大的比例。然而在2013 年以前，国内市场上的光伏背钝化设备基本被德国梅耶伯格公司和荷兰SoLayTec公司垄断，核心技术受制于人，加上采购价格高昂，早已影响了整个光电产业发展。光伏背钝化设备亟需国产化替代。
理想晶延上海松江研发与试制中心
理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“理想晶延”）就在此背景下成立。经过近十年发展，在全球能源结构转型和半导体产业快速发展的背景下，理想晶延凭借其在光伏新能源产业和半导体领域的深耕细作，已经成为高端装备研制的领先企业，为我国光伏产业的崛起贡献了独特的中国力量。
光伏镀膜设备从零开始，立志实现高端装备国产化
进入21世纪以来，人类对风电、太阳能、生物能等可再生能源的积极研究促进了各国新能源产业的蓬勃发展，太阳能凭借清洁、安全、长久等显著优势，已成为发展最快的可再生能源。
经过多年发展，我国光伏电池设备制造基本实现国产替代，并在国际竞争中处于优势地位。自2010年以来，我国一直是全球最大的光伏设备市场。其中，薄膜沉积设备占据了光伏生产线投资的最大份额，在强烈的市场驱动下，国内开始涌现采用不同技术路线的薄膜沉积设备初创厂商。
2013年奚明博士领衔创立理想晶延。随后在2015年成功研制国产首台平板式空间型原子层沉积(ALD)镀膜设备，2019年ALD镀膜设备便达到成功出货100台的里程战绩。
理想晶延ALD设备
奚明博士表示，凭借十余年真空镀膜技术的深厚积累，理想晶延聚焦两大核心领域：高效光伏电池工艺设备和集成电路晶圆制造设备。在光伏领域，理想晶延深耕CVD技术，拥有ALD、SALD、PECVD等多种设备，服务于双碳目标，覆盖TOPCon、钙钛矿及BC电池技术领域。在集成电路领域，公司汇集了中韩日专业跨国人才，提供先进的晶圆制造解决方案，主营产品包括多片装ALD、CVD、氧化退火设备等。
理想晶延资深研发总监刘锋指出，理想晶延拥有三大核心优势：
技术储备深厚，拥有领先的ALD、PECVD、MOCVD镀膜技术，适用于新能源、集成电路、新材料等多个新兴产业；
竞争优势明显，其国产首台板式ALD设备在镀膜质量和钝化效果上表现卓越，在提升光伏电池效率方面表现突出；
市场地位稳固，产品服务于光伏行业主流电池生产商，销售量超过400台，成为高效太阳能电池镀膜设备市场的领导者。
他以ALD设备的技术挑战为例，强调理想晶延在绕镀、工艺窗口、均匀性、产能、维修保养周期方面等均具备较大优势。
理想晶延市场营销总监刘永良补充道，公司的平板式空间型ALD镀膜设备在钝化效果上表现出色，助力TOPCon电池效率再创新高，国内市场占有率最高时达到近50%，成为钝化技术的主要供应商之一。
降本增效驱动下，光伏设备需求再升级
随着可再生能源日益成为全球发展共识，为达成2030年碳达峰，2060年碳中和，光伏行业将成为长期处于高速发展的新能源行业之一。彭博财经预测，2024年全球新增装机量微585GW，同比增长47.2%，明年开始增速有所放缓，直至2029年重回13.6%的两位数增速，2030年全球新增装机量预计为839GW，2024~2030年年复合增长率为9.5%。
在此过程中，降本增效一直是光伏产业发展的核心目标。唯有技术创新，才能实现更好的电池组件效率提升。2022年，TOPCon电池技术在N型路线中脱颖而出，率先步入规模化量产阶段。2023年新投产的量产产线已经以N型TOPCon为主。随着产能陆续释放，PERC电池片市场占比被压缩至73%左右，N型TOPCon电池片市场占比上升至23%。PV Infolink预测，2024年TOPCon电池片市场占比将提升至70%，未来两年TOPCon电池市场占比还将持续提升，成为行业主流量产技术。
据悉，目前主流组件厂家都是采用电池切片封装工艺来降低电阻损耗，提升组件功率。但这一封装工艺存在一定的技术弊端，在正片切割为半片的时候，激光切割会使得电池片边缘裸露，导致电子和空穴的复合增加，从而降低电池片的转换效率。
针对这一市场痛点，奚明博士带领团队深入PET钝化边缘技术研究，2023年，率先开展电池划片切割面损伤及修复研究，并在EPD（Edge Passivation Deposition）半片电池切割面钝化技术方面取得重大突破。该技术能有效优化电池片划片边缘特性，显著降低电池边缘复合损失，提升电池组件抗阴影能力，减少缺陷，稳定提升组件效率。
理想晶延EPD侧壁钝化技术也得到了大部分头部客户的验证认可，30多万片结果验证组件功率提升显著。2023年底，理想晶延首台量产侧壁钝化EPD设备成功出货，为光伏产业电池组件提效增产树立新里程碑。
理想晶延侧壁钝化EPD设备
刘锋表示，传统镀膜方式饶镀严重，造成组件虚焊比例高。针对侧面镀膜难、绕镀大、兼容性差、产能小等工艺痛点，理想晶延研制出适应电池侧切面镀膜量产高产能ALD反应腔体，采用腔体兼容性设计方案解决了电池绕镀大的难题并满足焊接拉力的要求，符合侧切面边缘镀膜适配电池印刷线产能的工艺节拍需求。EPD设备具有完全自主知识产权的全自动镀膜系统、前驱体区隔系统和自动化传输系统，使电池侧切面镀膜边缘钝化全自动量产达到所需的膜厚、绕镀、均匀性等多项关键指标。该设备通过对半片或多切片电池切面提供有效钝化，显著提升了光伏电池组件转换效率。
刘永良表示，侧壁钝化EPD设备去年开始已通过超10家目标客户实验验证，半片电池效率增益超0.2%，组件功率稳步提效5W以上，行业头部企业量产组件功率平均提效6W以上。
值得注意的是，随着近两年光伏上下游全面产能过剩，竞争形势更加严峻。TOPCon电池扩产节奏放缓，多家光伏电池企业产线投资延期或取消，电池产能过剩和投资的收缩，使得降本增效成为光伏行业关注的重中之重。
刘锋指出，单结晶硅太阳能电池的转换效率未来几年将逐步接近29.4%的极限值。为了充分利用太阳光谱，可将钙钛矿太阳电池作为顶电池，晶硅太阳电池作为底电池，形成钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池。叠层电池通过使用具有不同带隙的吸收材料来吸收不同能量的光子，将充分吸收太阳光，理论效率极限大幅推升至43%。自2015年钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池首次被提出以来，其能量转换效率从初始的13.7%快速提升至目前的33.9%。钙钛矿/TOPCon叠层电池展现出良好的光、热稳定性。TOPCon电池高温稳定性优异，为中间复合层及钙钛矿顶电池材料选择及工艺开发提供了更宽的窗口。
理想晶延钙钛矿ALD量产设备
为此，理想晶延在保持ALD产品国内市场优势的同时，不断推出更多具备竞争力的系列产品。刘永良表示，目前公司主推侧壁钝化EPD设备、钙钛矿ALD系列镀膜设备等新产品，高效赋能电池规模量产；同时也在积极布局HJT电池、xBC电池、钙钛矿/叠层电池等行业前沿技术，以应对更长期的技术迭代要求，以创新技术抢占制高点。
在积极拓展海外市场的过程中，理想晶延展现出了开放的姿态，以迎接全球市场的挑战和把握机遇。刘永良指出，自去年以来，理想晶延不仅伴随国内客户的步伐进入泰国、越南等东南亚国家，实现了“出海”战略，并且成功将设备出口到印度和美国等多个国家，这也标志着公司在拓展海外客户方面迈出了实质性的步伐。
尽管在当前国际形势下，各国政策因素也可能对理想晶延商业拓展带来一定挑战，例如美国对从中国进口设备征收的关税，以及印度对中国签证政策的不友好等因素，这样充分印证了理想晶延在全球市场上的竞争力与影响力。
结语
回望过去十余年，伴随着发展初期的政策扶持与后续技术迭代，我国光伏产业在曲折中发展，持续加码的过程中不断扩大产能，实现了明显的规模效应，且多次打破了光伏电池及组件的最高转换效率纪录。展望未来，新入者的涌入会带来更加激烈的竞争，然而在混沌的竞争格局中存在“变化”中的“不变”，即光伏行业中持久的降本与增效的发展主旋律。
在未来征程中，理想晶延将紧抓光伏电池技术迭代和投资扩张的机遇，基于优异的市场业绩实现高速发展。与此同时，在光伏电池领域取得战略成功后，理想晶延又将目光聚焦到对技术和工艺要求更高的集成电路晶圆制造ALD高端装备上，助力国产芯崛起，打造理想晶延第二增长曲线。
在采访的最后，奚明博士对理想晶延的未来充满信心：“我们将继续加大研发投入，保持技术创新，同时积极拓展国内外市场，为全球客户提供更加优质的产品和服务。我们的目标是成为全球领先的高端装备研制企业，为推动全球能源转型和半导体产业发展贡献力量。”
4.美国对华最新芯片出口管制出台，最终规则披露！
12月2日，美国商务部工业和安全局 (BIS) 宣布了一系列规则，旨在进一步削弱中国生产可用于下一代先进武器系统以及具有重大军事应用的人工智能 (AI) 和先进计算的先进节点半导体的能力。
这些规则包括对24种半导体制造设备和3种用于开发或生产半导体的软件工具实施新的管制；对高带宽存储器 (HBM) 实施新的管制；新的指南以解决合规性和转移问题；140项实体清单新增和14项修改涵盖中国工具制造商、半导体工厂和投资公司；以及几项关键监管变化，以提高之前管控的有效性。
这些行动有两个主要目标：
减缓中国发展可能改变未来战争的先进人工智能；
削弱中国发展本土半导体生态系统，这被认为是以牺牲美国和盟国国家安全为代价建立的生态系统。
为了实现这些目标，美国BIS正在实施多项监管措施，包括但不限于：
对生产先进节点集成电路（IC）所需的半导体制造设备实施新管制，包括某些蚀刻、沉积、光刻、离子注入、退火、计量和检查以及清洁工具。
对开发或生产先进节点集成电路的软件工具实施新管制，包括某些可提高先进设备生产率或允许较不先进的设备生产先进芯片的软件。
对高带宽存储器 (HBM) 实施新管制。HBM对大规模AI训练和推理都至关重要，是先进计算集成电路 (IC) 的关键组件。新管制适用于美国原产的HBM以及根据先进计算外国直接产品（FDP）规则受EAR约束的外国/地区生产的HBM。根据新的HBM许可例外，某些HBM将有资格获得授权。
实体名单中新增140个实体，并作出14项修改，包括半导体工厂、设备公司和投资公司，这些实体按照中国的要求行事，以推进中国的先进芯片目标，对美国及其盟国的国家安全构成威胁。
制定两项新的外国直接产品规则和相应的最低限度规定：
半导体制造设备 (SME) FDP：如果“知悉”外国/地区生产的商品运往澳门或D:5国家组（包括中国）的目的地，则扩大对特定外国生产的SME和相关物品的管辖权。
脚注5 (FN5) FDP：如果“知悉”实体名单上的或被列入FN5指定实体名单的实体参与某些活动，则扩大对特定外国/地区生产的SME和相关物品的管辖权。此类实体被列入实体名单，是因为实体名单配套规则中所述的特定国家安全或外交政策问题，例如这些实体通过中国试图生产先进节点半导体（包括用于军事最终用途）来支持中国的军事现代化。
最低限度：扩大对上述FDP规则中所述的特定外国/地区生产的SME和相关项目的管辖范围，这些项目包含任何数量的美国原产集成电路。
新的软件和技术管制，包括对电子计算机辅助设计 (ECAD) 和技术计算机辅助设计 (TCAD) 软件和技术的限制，当“窒息”这些项目将用于设计将在澳门或国家组D:5的目的地生产的先进节点集成电路时。
向EAR澄清有关软件密钥的现有管制。出口管制现在适用于允许访问特定硬件或软件的使用或续订现有软件和硬件使用许可证的软件密钥的出口、再出口或转让（国内）。
5.Microchip将关闭亚利桑那州工厂，影响500名员工
芯片制造商美国微芯片科技公司 (Microchip Technology Inc.)表示，将关闭位于亚利桑那州坦佩的一家工厂，影响约 500 名员工。
该公司还表示，订单增长慢于预期，并将12月季度的预期修正至接近最初预测的低端，即约10.3亿美元。
董事会主席兼临时首席执行官史蒂夫桑吉（Steve Sanghi ）周一在一份声明中表示，坦佩工厂将于2025年9月季度关闭，因为“库存水平很高，公司拥有充足的产能，并有能力在未来扩大其他工厂的产能。”总部位于亚利桑那州钱德勒的 Microchip 陷入了严重的销售低迷，预计今年的收入将暴跌 40%。曾担任首席执行官的 Sanghi上个月重返首席执行官之位，取代了Ganesh Moorthy 。
桑吉在声明中表示：“我想向投资者澄清的是，尽管这个头衔是临时的，但只要有必要，我就会一直担任这个职位，因此我的继任者还没有明确的时间表。”
6.2024年通用NAND价格下跌超50% 三星、铠侠计划减产
由于通用NAND闪存市场不景气，预计内存行业将再次进行减产。
据报道，日本内存厂商铠侠预计将在下个月开始减产NAND。韩国三星电子也预计将采取减产措施，以稳定NAND供应价格。
此前SK海力士、美光、铠侠等公司因NAND需求减少，从2022年下半年到今年年初进行了选择性减产。三星电子也较晚地在2023年4月开始减产NAND。
减少NAND产量可以降低库存量，从而稳定价格。内存厂商的稳定库存周转期为10至12周。
近期NAND市场仅数据中心搭载的企业级SSD因AI增长而价格稳定，其余NAND因需求减少而价格大幅下跌。这是因为智能手机、笔记本电脑等市场萎缩导致NAND需求减少。
据市场调研机构Dram Exchange 11月29日发布的数据显示，通用NAND固定价格自去年10月起连续5个月上涨后，从今年3月开始呈现横盘态势，9月开始转为下跌趋势。NAND价格9月环比下降11.44%，10月下降29.18%，11月下降29.8%，跌幅较大。8月时为4.9美元的价格已降至2.16美元。今年通用NAND价格已下跌超过50%，跌至2015年8月统计以来的最低价格。
市场调研机构TrendForce预测，由于近期消费者端NAND需求减少，三星电子和铠侠四季度的NAND销售额将减少。特别是铠侠，预计将比上一季度减少10%以上。
Trend Force表示：“预计NAND现货交易价格的下跌趋势将持续下去。”并补充道，“交易商担心随着现货交易价格暴跌，可能会造成更大的损失。”
7.美国芯片管制收紧，传思科禁止供应商提供中国大陆制造的产品
据报道，戴尔、惠普等PC厂商正努力尽快减少在中国大陆生产的零部件数量，美国网络巨头思科也加入这一行列，目前已禁止供应商提供中国大陆产的产品。
思科已通知供应商，芯片原产地认证（COO - Certification of Original）的要求将更为严格。此外，该标准已从核实芯片的最终封装位置提升到追踪芯片本身及其掩模的来源，确保它们不在中国大陆制造。
在特朗普第二任期可能加征关税之前，CSP（解决方案提供商）巨头微软以及PC公司惠普和戴尔已采取行动。微软敦促供应商在中国大陆以外生产零部件，并加快将Xbox组装线迁出。此外，微软还要求供应商在2025年底前在中国大陆以外生产Surface笔记本电脑。
另一方面，惠普和戴尔正审查2025年采购计划，以加速减少在中国大陆生产的笔记本电脑和台式机。戴尔已启动计划，将审查在美国销售产品的芯片原产地，并希望确保到2026年，其PC、笔记本、服务器和外围设备中的所有内部芯片都将不再来自中国大陆制造。
思科的举动在某种程度上表明，供应链转移浪潮已从PC和服务器中的零部件扩展到包括网络硬件在内的各种终端产品中使用的芯片。此外，这可能标志着一个时代到来，企业将被迫完全避免从中国大陆采购成熟工艺芯片。
分析指出，在供应链转移浪潮中，总部位于美国的美光科技将在存储芯片领域受益最多，其次是中国台湾的南亚科和华邦电子，它们为消费电子产品和网络设备供应大量成熟工艺专用存储芯片。
另外，包括联电、世界先进和力积电等在内的中国台湾代工厂也可能受益，因为它们都专注于成熟节点。（校对/张杰）
