【喜讯】 | 派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核! 作者: 爱集微 11-15 16:18 相关舆情 AI解读 生成海报 来源:派恩杰半导体 #派恩杰# #MOSFET# 评论 收藏 点赞 5224 责编: 爱集微 来源:派恩杰半导体 #派恩杰# #MOSFET# 收藏 点赞 分享至: 微信扫一扫分享 THE END 相关推荐 派恩杰半导体完成数亿元融资,系第三代半导体“小巨人” 派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权 【芯人物】派恩杰黄兴:做好中国第三代半导体产业的“探路者” 车用承压 台MOSFET厂多元布局 中国台湾MOSFET厂商:预计今年将恢复增长,看好AI PC “2024 IC风云榜”揭晓,派恩杰荣获“年度车规芯片市场突破奖” +关注 爱集微 微信: 邮箱:laoyaoba@gmail.com 10.2w文章总数 12012.5w总浏览量 最近发布 维信诺ViP AMOLED显示屏亮相世界显示产业创新发展大会,迎接AMOLED黄金时代 6小时前 高通胜诉!无需支付Arm芯片设计许可费用 19小时前 【补贴】美国商务部批准SK海力士提供4.58亿美元《芯片法案》补贴 19小时前 【变动】消息称特斯拉上海工厂厂长宋钢将加入远景集团 19小时前 【头条】华虹董事长张素心离任,上海联和投资董事长秦健接任 19小时前 获取更多内容 最新资讯 电动汽车供电设备被纳入强制性产品认证管理 4小时前 蔚来ET9正式上市,售价78.80万元起 5小时前 机构:iPhone出货或于2025年Q1遇瓶颈 5小时前 日产前董事长:日产寻求与本田达成协议是绝望之举 6小时前 深研院潘锋团队在发展图论结构电化学与AI相融合应用于尿素电催化机理研究取得进展 6小时前 中山大学实验室黄海平教授团队在神经网络的表示学习方面取得重要进展 6小时前