1.杨旭东院长：以标准化引领光伏产业高质量发展助力碳达峰碳中和目标实现；
2.北京理工大学团队开发具有原位自增密效果的陶瓷基复合材料快速制备技术；
3.【IC风云榜候选企业59】老鹰半导体：突破性二维可寻址VCSEL技术，引领固态激光雷达创新；
4.【IC风云榜候选企业60】诺华资本：半导体产业投资专家，构建生态引领产业升级；
5.【IC风云榜候选企业61】高性能智驾芯片光至R1，辉羲智能的智驾技术革新
1.杨旭东院长：以标准化引领光伏产业高质量发展助力碳达峰碳中和目标实现
0引言
党的二十届三中全会确定高质量发展作为全面建设社会主义现代化国家的首要任务，审议通过《中共中央关于进一步全面深化改革、推进中国式现代化的决定》，明确提出“完善生态文明基础体制，健全生态环境治理体系，健全绿色低碳发展机制；实施支持绿色低碳发展的财税、金融、投资、价格政策和标准体系，加快规划建设新型能源体系”等要求，为光伏产业高质量发展描绘了宏伟蓝图，谋划了落地方案。在国家“双碳”战略目标和市场需求的双重驱动下，当前我国光伏产业进入高质量发展转型的关键期，加快完善标准体系，构建与产业“硬实力”相匹配的标准“软实力”，充分发挥标准的基础性、战略性、引领性作用，对于促进产业结构优化、技术创新升级和产业生态持续健康发展具有重要意义。近日，工业和信息化部指导编制并印发了《光伏产业标准体系建设指南(2024版)》(以下简称《光伏标准体系》)，支撑和引领光伏产业高质量发展，助力碳达峰碳中和目标实现。
1 光伏标准体系建设的必要性
多年来，围绕光伏产业技术发展趋势与市场需求，在工业和信息化部的指导下，全国光伏能源系统标准化技术委员会等标准组织积极加强光伏标准体系建设，加快产业标准制定和实施。截至2024年9月，我国发布国家标准180余项、行业标准100余项，覆盖光伏制造设备、光伏材料、光伏电池和组件、光伏部件、光伏发电系统、光伏应用等光伏全产业链及先进技术产品全门类；主导开展国际标准20余项，有效提升了我国光伏产业国际标准话语权，助力我国光伏产业成长为我国少有的取得全球竞争优势的长板产业。
随着我国光伏产业加快向高质量发展转型，产业呈现高端化、智能化、融合化、国际化发展趋势。一是产业结构高端化。近年来国内供给主体激增，产业链主要环节产能加快释放，截至2024年9月，国内多晶硅、硅片、电池、组件产能分别接近1000GW，超过短期全球市场近2倍的装机需求，市场竞争随之加剧，产业结构面临升级调整。二是产业技术智能化、绿色化。国内光伏企业/研究机构加大先进光伏技术研发和产业化导入，高效N型晶硅电池、钙钛矿电池、叠层电池等多种技术路线产品效率不断创造新的世界纪录。大尺寸硅片、双面电池组件以及智能调度、智能运维、资源回收和综合利用等技术不断创新和产业推广，促进行业整体升级。三是应用场景融合化。随着光伏发电成本大幅降低，农光互补、海上光伏、光储一体化、建筑光伏一体化、光伏制氢制氨一体化等应用模式逐步具备经济可行性，未来分布式、分散式光伏发电市场空间不断扩大，融合化发展趋势显著。四是市场拓展国际化。近年来国内光伏产品出口市场趋于多元化，除欧洲、巴西、印度等传统市场外，沙特、巴基斯坦等发展中国家出口占比逐渐增长。光伏企业海外建厂也呈积极态势，目的地从东南亚为主逐步拓展至美国、欧洲、中东、拉美等国际市场，涉及产业链上下游多环节。
光伏产业上述发展特点和趋势对标准提出了更高要求，新形势下，健全产业标准体系、打造提升技术标准“软实力”、更好发挥标准对光伏产业高质量发展的引领作用势在必行。
2 光伏标准体系建设的主要作用
一是完善了光伏产业标准工作顶层规划设计。《光伏标准体系》明确了光伏标准化工作的总体要求，构建了光伏产业标准体系框架，提出了光伏标准化工作的重点方向。便于相关主管部门统筹规划、分类施策，协同推进、急用先行，结合细分领域技术特点和标准需求，有序布局光伏标准制修订计划。同时，有助于相关标准化机构以及技术组织更加科学、高效地组织开展标准制修订工作，也有助于标准编制主体明确工作方向，做到有的放矢。
二是提升了光伏标准创新引领产业水平。《光伏标准体系》充分贴近技术创新和产业发展需求，深度体现了科学、创新、开放的理念，围绕光伏产业链的构成，以推动光伏产业链安全可靠、绿色低碳、数智融合等为目标，坚持创新驱动、开放合作的原则，着力强化上下游标准协同、先进标准供给、标准实施成效以及标准国际化等布局，充分实现先进技术标准引领光伏产业创新体系建设。
三是强化了标准推动“光伏+”创新应用。《光伏标准体系》坚持应用牵引，以企业为主体、市场为导向，面向行业应用和市场需求，强化创新成果的多场景大规模应用，系统规划了光伏建筑、光伏交通、光伏农业、光伏制氢、光伏通信等重点方向，以标准实施促进“光伏+”创新技术发展以及多元场景的应用实施和推广，促进光伏产业融合发展。
3光伏标准体系建设的主要思路
3.1 确立光伏标准体系建设总体要求
以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，全面贯彻党的二十大和二十届二中、三中全会精神，认真落实《新产业标准化领航工程实施方案 (2023—2035年)》，按照创新驱动、应用牵引、开放合作的原则，以推动光伏产业高端化、智能化、绿色化、融合化、国际化发展为目标，加强标准工作顶层设计，强化全产业链标准协同，统筹推进标准体系建设和关键标准制定实施，引领光伏产业高质量发展。《光伏标准体系》指出，到2026年，标准与产业科技创新的联动水平持续提升，新制定国家标准和行业标准60项以上，实现光伏产业基础通用标准和重点标准的全覆盖。鼓励社会团体研制先进团体标准，支持我国企事业单位参与制定国际标准20项以上，促进光伏产业全球化发展。
3.2 系统规划光伏标准体系框架及重点方向
围绕光伏产业链的构成、应用方向以及发展需求，系统规划光伏产业标准体系框架，具体包括基础通用、光伏设备、光伏材料、光伏电池和组件、光伏部件、光伏系统、光伏应用、智能光伏和绿色光伏等9个部分(如图1所示)，同时针对上述9个部分前瞻布局标准化工作重点。其中，基础通用标准主要规范光伏领域的基础性、通用性、指导性标准；光伏设备标准主要规范光伏硅材料、电池、组件等环节生产制造及测试设备的技术要求；光伏材料标准主要规范电池和组件生产制造过程中晶体硅材料、薄膜半导体材料等上游原材料及辅助材料的技术要求；光伏电池和组件标准主要规范光伏器件测量方法以及电池和组件的技术要求；光伏部件标准主要规范电气部件和器件、支撑结构和部件、光储部件等技术要求；光伏系统标准主要规范光伏系统的设计、运维、测试、评价等技术要求；光伏应用标准主要规范光伏与其他领域融合应用的技术要求；智能光伏标准主要规范光伏智能制造、智能光伏产品以及智能光伏系统等技术要求；绿色光伏标准主要规范光伏产业全生命周期绿色低碳发展及资源综合利用等技术要求。
3.3 构建完善标准保障措施
一是加强组织建设。充分发挥全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会等光伏领域标准化技术组织的作用，建立健全产业链上下游各环节标准化技术组织的协作机制，统筹产业各方优势力量，协同推进光伏产业标准的制定与实施，强化标准体系与产业体系的协同。
二是构建人才队伍。通过加强标准化人才培训、引进标准化高端人才、支持企业将标准化人才纳入职业能力评价和激励范围等方式，做大标准化专业人才“蓄水池”，构建懂标准、业务精、能力强的标准化人才梯队。
三是加强应用实施。面向行业开展光伏产业重点标准的宣贯培训，引导企业在研发、设计、生产、管理、检测等环节对标达标，建立标准应用实施促进产业技术发展的典型案例并进行经验推广。
4 标准引领产业高质量发展的主要策略
(1) 加强顶层设计，进一步加快关键标准制定。在工业和信息化部《新产业标准化领航工程实施方案(2023—2035年)》的统一部署下，依据《光伏标准体系》，加快光伏领域关键标准研制，用优质的标准解产业急需。以标准为引领，助力产业构建新发展格局；以标准为支撑，助力产业创新高效提升；以标准为准则，助力产业夯实优势基础。
(2) 聚焦重点领域，进一步强化特定场景依标应用。一方面，加强产业链协同合作，推进智能化、场景化光伏产品技术标准研制，确保产品安全、可靠、适用。另一方面，推进“光伏+”领域电站设计、施工、验收规范化管理，扩大光伏在工业、建筑、交通、农业等领域应用范围。助力光伏产业不断向智能化、绿色化迈进，强质量提效益。
(3) 强化人才支撑，进一步构建多层次标准化工作队伍。坚持标准化人才培养与产业需求对接，努力聚集政治硬、业务精、能力强、管理好的梯次标准化人才，在国际标准化舞台上发挥作用，同时为国内标准化工作出新招，创佳绩。
(4) 瞄准国际需求，提升国际标准化工作水平。加大光伏国际标准战略规划、国际标准化规则以及国际标准化工作机制研究，搭建国际合作平台，鼓励企业参与国际标准制定，加强我国先进国家标准宣传推广，讲好中国光伏故事，为打造高效的国际共通互融市场机制奠定基础。
（来源：绿色发展研究中心）
2.北京理工大学团队开发具有原位自增密效果的陶瓷基复合材料快速制备技术
陶瓷基复合材料由于其耐高温、高比强度以及高断裂韧性的特性被广泛用于航天航空、核能等诸多领域。陶瓷基复合材料常见制备工艺主要有化学气相沉积法（CVI）、前驱体浸渍裂解法（PIP）和金属熔渗反应法（RMI）。CVI工艺通过气相小分子热解沉积实现材料致密化，但不适用厚壁样件；PIP工艺通过前驱体反复浸渍-裂解进行致密化，往往需要重复9-16轮，且前驱体利用率低（30wt%左右）；CVI和PIP两种工艺周期长、成本高大大限制了其广泛应用。与前两者相比，RMI工艺制备周期相对较短，但高温金属熔体对纤维损伤程度大，显著影响材料的力学性能。
快速成型工艺方法一直是陶瓷基复合材料重点研究方向。例如，欧洲C3HRME项目、日本NITE技术以及美国MATECH的FAST技术。然而，上述快速制备工艺均使用了高温高压的烧结技术，这类烧结技术不仅依赖高昂的工艺设备，而且制备异形构件非常困难。
图1 快速制备工艺方法
北京理工大学张中伟教授团队开发了一种具有原位自增密的陶瓷基复合材料快速制备技术，旨在实现材料的高效、高通量、低成本制备。开发了无机填料改性的新型高粘聚硅硼氮烷前驱体，具备低挥发份、高陶瓷产率和填料稳定负载特性；创新性提出活性金属作为气相固碳/固氮引发剂，实现C/SiBCN复合材料的快速致密化，这种技术被命名为ViSfP-TiCOP。该工艺方法对缩短陶瓷基复合材料制备周期、提高前驱体利用效率、并降低材料制备成本具有非常重要意义和经济价值，为进一步扩大陶瓷基复合材料的应用领域提供了全新的思路和策略。相关研究成果发表于复合材料Top期刊《Composites Part B: Engineering》，论文标题为“A novel rapid fabrication method and in-situ densification mechanism for ceramic matrix composite”（10.1016/j.compositesb.2024.111881）。
如图2所示。在北理工张中伟教授团队研发的ViSfP-TiCOP工艺中，制备C/SiBCN-M的新型工艺流程包括前驱体合成、纤维布叠层及最终的固化裂解。首先固态聚硅硼氮烷、液态乙烯基聚硅硼氮烷和无机填料以正己烷为溶剂进行共混，形成挥发份少（＜3wt%）、高粘度（常温粘度106mPa·S）体系，该体系具备无机填料稳定负载能力；提出引入金属Ti作为自增密基元，实现新型前驱体表现出优异的化学稳定性和陶瓷产率（87wt%）。所制备的新型前驱体的理化性质如图3所示。
图2. ViSfP-TiCOP快速制备技术流程图
图3.前驱体的理化性质：（a）不同温度处理下的挥发份含量；（b）新型前驱体红外光谱；（c）填料改性前驱体的粘度-温度曲线；（d）SiBCN-25wt% ZrB2与SiBCN-25wt% Ti的热重曲线；（e）SiBCN-15wt% Ti的TG-DSC曲线；（f）具有良好变形性的SiBCN-M体系。
同时，这种前驱体具有良好的复合材料加工工艺适配性。不同于硬质的陶瓷基生坯片，新型SiBCN-M前驱体体系不仅具有低的引发温度（120℃完全固化），而且对金属模具拥有良好的贴模和适形特性。凭借这两个优点，以此前驱体为基础材料，采用传统树脂基复材工艺方法（如真空树脂膜熔渗RFI），制备C/PBSZ复合材料，RFI工艺的铺层设计如图4所示。
图4. RFI工艺成型方法制备C/PBSZ复合材料
如图5所示，由北理工张中伟教授团队研发的ViSfP-TiCOP工艺，其对CMCs的制备周期可以降低到400h以下。相比于传统的PIP成型工艺，ViSfP-TiCOP工艺大幅缩减了工艺周期，实现了CMCs的低成本、高通量及快速化制备。
图5. ViSfP-TiCOP增重曲线及致密化周期。
研究发现，在1500℃高温裂解过程中，Ti的原位气相氮化与碳化机理能为CMCs的快速致密化提供“额外”的增重与体积膨胀，见图6。SiBCN前驱体裂解生成以CH4、NH3、H2为代表的小分子气体，700℃以下时这部分气体便溶解于Ti中且开始反应生成TiCN(H)；在700~1100℃时，TiCN(H)开始发生脱氢反应并生成TiCN；在1100~1300℃时，完全转化为TiCN，这种固溶体的晶体结构是典型的面心立方结构。不仅如此，当继续升温时，N2不再成为“稳定的”惰性气体，开始与残余的Ti反应生成TiN(C)。上述气相自增密机制极大促进了CMCs致密化进程，实现有限次数快速制备。
图6. 活性金属促进快速致密化的机制
北理工团队开发了CMCs新型快速制备工艺方法ViSfP-TiCOP，创新性提出活性金属的原位气相碳化与氮化机理提升致密化进程。由于极低的挥发份含量、高交联度和原位Ti增密机理，新型SiBCN-M前驱体陶瓷产率高达87wt%。仅3轮重复浸渍-裂解，完成Cf/SiBCN-Ti复合材料致密化（孔隙率＜10Vol%）。该方法为陶瓷基复合材料提供了一种无压、低工艺温度（1200℃）环境且不依赖高价值工艺装备的快速成型技术，大大缩短制备周期、降低成本，为陶瓷基复合材料降本增效和扩大应用具有重要的现实意义和工程价值。
附作者简介：
第一作者：张轶竣，北京理工大学先进结构技术研究院博士生，研究方向为陶瓷基复合材料快速制备工艺
通讯作者：张中伟，北京理工先进结构技术研究院教授，博士生导师，现任中国腐蚀与防护学会高温专业委员会副主任委员、先进复合材料技术与装备创新联盟常务理事等职务。面向航天装备和重大需求，长期从事航天材料研发和工程应用，致力于超高温热防护、高温热结构复合材料、新型轻量化结构以及极端环境下材料使役行为研究。作为负责人主持了国家重点研发计划、基础加强及领域重点基金等多项重大重点项目，在基础理论和工程应用方面取得了突出成绩。（来源：北京理工大学）
3.【IC风云榜候选企业59】老鹰半导体：突破性二维可寻址VCSEL技术，引领固态激光雷达创新
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】浙江老鹰半导体技术有限公司（以下简称：老鹰半导体）
【候选奖项】年度技术突破奖
随着智驾技术的不断发展，激光雷达已经作为自动驾驶的必备感知硬件，不断深入大众化的消费市场，带给驾驶人员更安全舒心的智驾体验。在成像技术方面，现阶段已上车的激光雷达多以机械式或半固态式为主，其内部包含的运动部件构造制约了激光雷达的使用寿命及可靠性，也大大增加了激光雷达的上车成本。因此，不含任何运动部件的纯固态激光雷达被认为是未来技术发展的主要趋势，而激光器的升级则成为纯固态激光雷达破局的关键。作为激光雷达的激光器芯片，VCSEL基于多结技术带来的功率优势使其受到了越来越多激光雷达厂商的青睐。
据悉，老鹰半导体最新推出的二维可寻址VCSEL芯片，基于多结技术不仅能够大幅提升发射功率密度，并且在抗干扰、发光效率高的同时，保持良好的散热性能，完美赋能纯固态及半固态激光雷达解决方案，可以应用在车载短距雷达，用于侧向补盲，服务于L3及以上高阶辅助驾驶或自动驾驶方案，同时还可以应用在工业无人车场景，如无人物流快递车、AGV等场景，实现无人行驶。
除此之外，老鹰半导体二维可寻址VCSEL芯片还拥有极窄分区间距设计，可控制出光区域，分区间具有高一致性。固态激光雷达不需要复杂的机械移动部件作为扫描结构，可以大大简化结构并提高整机的可靠性。
老鹰半导体是全球仅有的几家能够实现二维可寻址VCSEL芯片的厂商之一，成立于2018年，专注于垂直腔面发射激光器 （VCSEL）芯片及器件的研发、生产和销售，建有全球领先的仿真设计平台、高级别测量实验室和车规级可靠性试验室。目前，老鹰半导体自有IDM工厂已经在浙江诸暨实现量产出货，具备领先的研发水准和稳定的生产能力。
在芯片制造方面一直存在较高的壁垒——比如工艺复杂、效率较低、芯片存在漏电流等技术难点的大背景下，目前仅有国外几家VCSEL大厂实现了二维可寻址VCSEL芯片的产品化。老鹰半导体作为国内领先的VCSEL全方案供应商，研发技术在国内处于领先地位，芯片性能比肩国际一流产品水平。其过硬的自主研发能力，不仅攻克二维可寻址VCSEL相关技术难点，实现芯片的成功流片，更有望成为国内首家实现二维可寻址VCSEL芯片产品化的企业。
2023-2024年，老鹰半导体先后完成两轮融资，融资金额超亿元，受到了包含鼎青投资、源慧创益、云耀睿行基金、尚颀资本、恒旭资本、富越资本和拔萃资本的青睐和资金支持，资金主要用于扩大生产规模以及增加研发投入。目前，老鹰半导体已形成由高速数据通信VCSEL、高功率激光雷达VCSEL、高效率3D感测VCSEL构成的三大产品矩阵，全面赋能数据中心光互联、汽车自动驾驶与智能座舱、消费电子及工业应用的传感等领域，为行业客户提供领先的光解决方案。
截至目前，老鹰半导体已荣获国家高新技术企业、浙江省博士后工作站、浙江省企业研究开发中心、浙江省院士工作站、专精特新中小企业等荣誉。未来，老鹰半导体将继续发挥自身技术优势，不断创新，持续推动VCSEL技术向更高速率发展。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
技术的原始创新性（50%)
技术或产品的主要性能和指标（30%)
产品的市场前景及经济社会效益（20%）
4.【IC风云榜候选企业60】诺华资本：半导体产业投资专家，构建生态引领产业升级
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】北京诺华资本投资管理有限公司（以下简称：诺华资本）
【候选奖项】年度最佳投资机构奖、最佳产业投资机构奖、最佳行业投资机构奖 （设备材料）、年度中国最佳投资人奖
【候选人】诺华资本总经理于大洋
诺华资本成立于2020年，由北方华创和资深投资团队发起设立，具有政府资源与产业背景双重优势，聚焦我国集成电路装备产业领域，专注于泛半导体产业链中的装备、零部件、材料和软件等领域投资。诺华资本目前在管基金1支，北京集成电路装备产业投资并购基金（简称“一期基金”），是按照北京市政府批复的《北京集成电路装备产业投资并购基金设立方案》于2020年10月设立，投资人包括北京电控、北京科创基金、北京京国瑞基金、亦庄国投、国泰君安、中信建投等知名投资机构。
截至24年10月底，诺华资本基金规模20亿元，已投项目累计16亿元，已投企业数量近40家，其中18家已完成下一轮融资，1家已上市，1家IPO注册生效，5家处于IPO辅导阶段。
诺华资本作为北方华创产业投资平台，借助自身专业优势和资本优势，持续发挥产业触角作用，联合产业方聚焦半导体产业生态圈打造，助力半导体产业竞争力的提升。通过产业紧密合作支持，深度挖掘“卡脖子”、填补国内空白的战略意义突出项目，支持产业发展的同时，保障国产集成电路装备供应链安全、增强横向协同。目前投资已覆盖装备领域最重要的零部件企业，下一步将围绕北方华创产业链投资布局一批具有核心研发实力、应用场景广泛、具备产业化发展前景的企业，特别是在零部件上游的材料和元器件进行重点布局，在兼顾投资收益的同时，实现填补国内空白、增强市场竞争力等战略协同。
诺华资本充分发挥各股东方优势，建立了一套覆盖募资、投资、管理、退出全业务流程风控管理体系和信息化管理系统，依托北方华创联合构建了从技术判断、投后赋能到运营管理等多维度深度协同机制，打造了一支对半导体产业有深入理解且具有产业、金融、财务、法律等复合背景的专业化投资团队，团队拥有国内外知名大学硕士以上学历，其中超过50%拥有产业从业经验，平均工作年限超过10年。经过四年多的积累，逐步获得投资界广泛认可。
诺华资本本年度投资成果丰硕，投资项目包括纽氏达特、睿科微、新松、海普瑞、亿太诺、子牛亦东、青昀碳基、芯联动力、宁波众杰等。截止24年10月所投项目内部收益率（IRR）超过39%，证明了诺华资本在投资领域的专业实力和市场趋势的敏锐洞察。
凭借卓越的投资表现，诺华资本此次竞逐IC风云榜年度最佳投资机构奖、最佳产业投资机构奖、最佳行业投资机构奖（设备材料）以及年度中国最佳投资人奖，并成功成为候选企业。
总经理于大洋先生，是武汉大学工学博士，对外经贸大学金融学硕士，高级工程师，10年半导体产业+近10年投资经验，曾任北方微电子设备研发工程师、创维集团投资公司董事，投委委员，曾就职亦庄国投，中金资本等知名投资企业。主持完成70余项国内外投资和并购，包括3起美国企业并购和投后管理；连续3年荣获爱集微半导体最佳投资人、融资中国最佳青年投资人。
作为诺华资本的总经理，于大洋先生以其深厚的技术背景和投资领域的专业知识，为公司的投资决策和项目孵化提供了有力支持。在诺华资本任职期间，他主导投资的珂玛科技项目已顺利上市，先锋精密也于2024年8月提交了注册。
在他的带领下，诺华资本一期基金取得了优异的成绩。于大洋精准的投资眼光和非凡的项目孵化能力，不仅为投资者带来了显著的回报，也为半导体产业的发展和创新做出了重要贡献。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度最佳投资机构奖】
基于国际产业竞争的使命和责任，我们需要一批优秀地专注于半导体产业的投资机构发挥重要引领作用，带领一众创新型企业披荆斩棘、加速国产替代。
“年度最佳投资机构奖”旨在表彰专注半导体并在本年度做出突出贡献、贡献了最多资本与技术、投向更多半导体新兴企业的头部机构。
【报名条件】
1、半导体领域投资项目占总投资项目的40%以上；
2、基金管理规模不低于10亿人民币；
3、成立时间≥3年。
【评选标准】
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模20%；
3、投资项目个数（年度）40%；
4、投资项目总金额（年度）20%；
5、行业影响力10%。
【最佳产业投资机构奖】
产业投资机构出身于行业，对行业发展和产业链关系有更深的理解。依托自身的产业资源，为企业进行客户对接，资源导入、技术支持等，助力企业更快更好发展。
“年度最佳产业投资机构奖”旨在表彰本年度在产业赋能和协同发展方面表现优异的产业投资机构。
【报名条件】
1、拥有可依托的产业资源，在上下游产业链的布局和投资规模超过机构规模30%；
2、基金管理规模不低于30亿人民币。
【评选标准】
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模15%；
3、投资项目个数（年度）15%；
4、投资项目总金额（年度）10%；
5、行业影响力20%；
6、投资标的与该集团产业配合度（所投企业数量与自身生态链匹配度）30%。
【年度中国最佳投资人奖】
“年度中国最佳投资人奖”旨在鼓励和表彰本年度凭借深刻行业洞察能力、过硬资本运作能力、出色投资能力在半导体投资领域取得优异成绩、为中国半导体行业发展做出突出贡献的优秀投资人。
【报名条件】
1、聚焦半导体领域投资，能准确把握行业发展趋势，具备优秀投资能力和优异投资业绩；
2、机构合伙人或同等级别及以上管理者。
【评选标准】
1、投资企业数量30%；
2、投资金额20%；
3、综合回报率30%；
4、行业影响力20%。
【最佳行业投资机构奖 （设备材料）】
产业发展与行业发展相辅相成，专精细分领域的投资机构往往在支持企业成长方面做出了较大贡献。
“最佳行业投资机构奖（设备材料）”奖旨在表彰本年度在半导体设备材料领域做出突出成绩，极大助力行业发展的优秀投资机构。
【报名条件】
1、专注设备材料类投资，投资设备材料类标的占总投资标的数量50%以上普遍以领投形式参与企业融资；
2、基金管理规模不低于10亿人民币。
【评选标准】
1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模15%；
3、投资项目个数（年度）20%；
4、投资项目总金额（年度）15%；
5、行业影响力20%。
6、投向为设备材料类企业占比20%；
5.【IC风云榜候选企业61】高性能智驾芯片光至R1，辉羲智能的智驾技术革新
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】北京辉羲智能信息技术有限公司（以下简称：辉羲智能）
【候选奖项】年度车规芯片技术突破奖
【候选产品】高性能智驾芯片光至R1
高阶智能驾驶芯片作为未来出行的核心驱动力，正引领着汽车行业向智能化、自主化迈进。
辉羲智能注册成立于2022年，致力于打造一个创新的车载智能计算平台。该公司专注于提供高阶智能驾驶芯片、易用且开放的工具链，以及全栈自动驾驶解决方案。通过运用独创性的“数据闭环定义芯片”方法学，辉羲智能有效助力车企实现优质高效的自动驾驶量产交付，为智能驾驶领域注入了新的活力。
辉羲智能自2022年4月注册成立以来，已迅速成长为行业内的佼佼者。企业总人数超过200人，其中研发人员占比高达90%，彰显了其在技术研发领域的深厚实力。公司在北京、上海、杭州、合肥、宜宾等多地设立了研发中心，构建起完善的研发网络，为技术创新和产品迭代提供了有力支撑。
凭借卓越的技术实力和创新能力，辉羲智能赢得了多家产业巨头和投资机构的青睐，包括亦庄产投、蔚来、小米、经纬恒润等。同时，该公司也收获了多项荣誉和认可。2024年，辉羲智能入选了“2024新锐100 | 中国企业家”榜单；2023年，公司斩获了包括“2023Venture50 新芽榜 & 数字科技榜”“最具投资价值创业公司”“隐形独角兽企业”“潜在独角兽企业”“年度智能网联创新企业Top100”在内的多项大奖。此外，辉羲智能还在“芯向亦庄”汽车芯片大赛中荣获“最具成长价值奖&汽车芯片产业影响力人物”，并在高阶智能驾驶算力领域被评为“年度创新企业”。
在技术研发方面，辉羲智能与上海交通大学合作，其论文在电子设计自动化顶会DAC上获得最佳论文提名奖；在国际计算机视觉顶会CVPR 2023自动驾驶在线高精地图构建挑战赛中荣获季军，进一步证明了其在自动驾驶技术领域的领先地位。同时，辉羲智能还被评选为“智驾芯片方案前装本土供应商TOP10”，并荣获“车规级计算类芯片优质供应商”称号，展现了其在车载智能计算平台领域的强大竞争力。
此次，辉羲智能凭借其明星产品——高性能智驾芯片光至R1竞逐IC风云榜年度车规芯片技术突破奖，并成为候选企业。
辉羲智能基于其独特的“数据闭环定义芯片”技术理念，推出了国内首款原生适配Transformer大模型的高性能自动驾驶芯片——光至R1。这款芯片采用7nm车规级制造工艺，集成了多达450亿个晶体管，以其前瞻性的架构设计，实现了计算性能的显著提升，相较于目前国外主流芯片，其计算性能翻倍，而成本更低。
光至R1作为大模型时代的第一颗原生具身智能芯片，专为智能驾驶和AI应用而生。它拥有四大核心特性：数据闭环定义的高阶智驾芯片、图灵完备的通用可编程计算引擎、完整的异构协同计算配置，以及作为大模型时代的第一颗原生具身智能芯片的身份。
这些特性使得光至R1能够为客户提供卓越性能、创新潜力、广泛AI应用支持、安全保障和车规级可靠性五大价值，全面满足智能驾驶和AI应用的各种需求。
在系统层面，光至R1实现了一颗芯片满足三大应用场景的突破，即数据采集、实时控制和算法验证，从而极大地提升了系统的灵活性和效率。其自研的图灵完备指令集，使得光至R1能够实现领域通用，解决车企客户在智能驾驶开发中遇到的适配与升级难题。同时，其高效AI工具链功能完备、用户友好、性能强大，大幅缩短了算法部署和系统集成时间，助力客户快速响应市场变化，实现技术的持续迭代。
在计算能力方面，光至R1配置了CPU、NPU、GPU、ISP等多样的协同处理加速器，具备高效的异构计算能力。在自动驾驶场景下，它能够灵活分配对应的计算需求，使得算力能够进行充分配合，从而满足系统可靠性、稳定性的第一需求。具体而言，其NPU具备8核SIMT架构，CPU内置24颗Arm Cortex-A78AE核，可提供大于500TOPS的深度学习算力及超过420kDMIPS的CPU算力。
此外，光至R1专为汽车级应用设计，通过严格的车规认证，符合ASIL-D和EVITA Full标准，确保量产过程的安全可靠。辉羲智能还开发了RIF（Risk Immune Framework）架构，在基础错误诊断机制上实现灵活的分级分域管理，支持按需调整安全策略，确保系统运行的安全性与高效性。
目前，光至R1已获得近40项发明专利，并已经与一家国际汽车品牌达成合作，搭载光至R1的量产车型预计将于2025年面世，为全球智能驾驶领域带来全新的变革和突破。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度车规芯片技术突破奖】
旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国车规芯片产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕车规芯片某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用；
【评选标准】
1、技术的原始创新性（50%）；
2、技术或产品的主要性能和指标（30%）；
3、产品的市场前景及经济社会效益（20%）。
