近日，第三届GMIF2024创新峰会在深圳湾万丽酒店成功举办。本次峰会汇聚了北京大学集成电路学院、美光科技、西部数据、Solidigm、Arm、紫光展锐、Intel、科大讯飞、瑞芯微、慧荣科技、佰维存储、胜宏科技、全志科技、英韧科技、联芸科技、铨兴科技、澜起科技、AMAT、LAM、DISCO、中科飞测、龙芯中科等国内外知名企业高管及行业专家，共同探讨AI时代下全球存储创新发展与生态合作共赢之道。峰会期间，隆重揭晓了GMIF2024年度大奖，共计38家产业链关键代表企业获得表彰。
在第三届GMIF2024创新峰会上，西部数据闪存先进技术副总裁李艳博士发表了关于《3D QLC NAND Flash拓展及其应用》的主题演讲，全面阐述了当前3D NAND技术的发展现状、技术挑战及其在AI时代的应用前景。作为全球存储技术的领导者，西部数据不仅在硬盘市场占有重要地位，同时也在Flash存储领域具有深厚积累，特别是通过3D QLC NAND Flash，西部数据正推动存储技术的革新，为满足未来人工智能时代的海量数据需求提供解决方案。
3D NAND技术的历史与现状
李艳博士首先回顾了3D NAND技术的发展历程。自1995年NAND Flash技术出现以来，西部数据及其合作伙伴一直致力于推动NAND技术的演进，从早期的2D平面结构到如今的3D堆叠架构，存储密度和性能得到了极大提升。李艳博士表示，随着技术的进步，2D NAND已经接近其工艺极限，而3D NAND技术的引入，使得存储器可以通过垂直堆叠实现更高的密度和更低的成本。目前，西部数据已量产218层的3D NAND。
尽管技术的提升带来了存储容量的飞跃，但3D NAND技术面临的主要挑战并不是技术本身，而是经济性。李艳博士表示，3D NAND的生产成本非常高，尤其是在更高层数的堆叠上，制造设备的费用巨大，导致整个产业进入了一种恶性循环。这种"恶性循环"体现在随着产能增加，市场对存储的需求增长不足，导致价格下降，进一步压缩了盈利空间。
3D QLC的技术优势与挑战
3D QLC（Quad-Level Cell）作为NAND技术的最新突破，能够在每个存储单元中存储4位数据，从而显著提高存储密度。李艳博士详细介绍了3D QLC的技术特点及其相较于传统TLC（Triple-Level Cell）的优势：3D NAND采用了创新的圆柱形结构，使得存储单元的宽度增加，从而提高了电流流动性。因此， Charge Trap Cell技术减少了电荷丢失的问题，大幅度提升了数据保存的稳定性。
然而，随着存储密度的提高，3D QLC也面临着可靠性和性能的挑战。尤其是在较高层数的3D NAND中，如何在保持存储容量的同时，确保数据读取和写入的性能成为了关键难题。"虽然我们已经实现了较高的层数堆叠，但如何提升性能、降低功耗仍然是行业的重大挑战。"李艳博士补充道。
3D QLC的应用场景：从消费级到企业级
随着AI时代的到来，存储需求呈现出爆炸性增长，预计全球将会有数个ZB的数据需要存储。李艳博士指出，3D QLC NAND Flash在满足这些需求方面具有巨大的潜力，尤其是在AI、大数据和云计算等领域，3D QLC的高密度存储将成为理想的选择。
“在企业级应用中，3D QLC可以替代传统的硬盘驱动器（HDD），提供更高的存储容量和更快的读写速度，”李艳博士说道。此外，随着AI服务器和数据中心对存储的需求不断增加，QLC NAND Flash凭借其成本效益和高容量的优势，将逐步成为企业级存储的主流选择。她进一步强调，QLC NAND与系统级优化的结合，如区域命名空间（ZNS）或灵活数据存放（Flexible Data Placement），能够大幅提升存储设备的可靠性和性能，延长存储寿命。
技术创新：推动存储性能和功耗优化
在演讲中，李艳博士还重点介绍了西部数据在提升存储性能和降低功耗方面的创新。通过将CMOS与3D NAND的堆叠结构分离，西部数据有效解决了在高温工艺环境下CMOS性能下降的问题，并通过"CMOS Bonded Array"（CBA）架构，实现了更高的输入/输出性能（I/O）和更快的数据传输速度。
此外，李艳博士提到，为了应对AI时代对高效存储的需求，西部数据在QLC NAND上引入了诸多创新技术，如异步读取、优化的数据管理策略，以及通过减少数据移动来降低功耗。这些技术的应用，使得3D QLC在保持高容量的同时，进一步提高了性能和能效。
李艳博士代表西部数据领取GMIF2024“杰出技术创新奖”
总结
3D QLC NAND Flash技术的快速发展，为存储行业带来了前所未有的机遇和挑战。在李艳博士的演讲中，我们看到，西部数据正通过不断的技术创新和产业布局，推动3D QLC NAND Flash的广泛应用。随着AI、大数据和云计算的需求不断增长，3D QLC将在企业级存储和消费级市场中发挥越来越重要的作用，为未来的智能化时代提供高效、可靠的存储解决方案。
从技术层面来看，3D NAND的垂直堆叠架构与创新的电荷捕获技术使得更高的存储密度成为可能，但随着层数的增加，如何在成本、可靠性和性能之间取得平衡仍是行业面临的主要挑战。未来，随着更多技术的突破和产业的协同合作，3D QLC NAND Flash将在推动AI时代的存储革新中扮演重要角色。
