据报道，俄罗斯已拨款超过2400亿卢布（25.4亿美元，177.84亿元人民币）支持一项大规模计划，到2030年取代外国芯片制造设备。该计划涉及启动110个研发（R&D）项目，以减少对进口晶圆设备的依赖，并最终采用28nm级工艺技术制造芯片。
俄罗斯芯片制造商Angstrem、Mikron等，可以在各种成熟节点上生产芯片，包括65nm和90nm。在俄罗斯用于芯片的400种设备中，目前只有12%可以在当地制造。制裁进一步将局势复杂化，关键设备的成本上涨40%~50%，因为这些设备必须走私到该国。为了降低成本并减少对外国设备的依赖，俄罗斯工业和贸易部 (Minpromtorg) 以及MIET（一家政府控制的公司）制定了一项计划，重点是为微电子生产所需的大约70%的设备和原材料开发国内替代品。
该计划涵盖芯片制造的各个方面，包括实际设备、原材料和电子设计自动化（EDA）工具。该项目将开发“20种不同的技术路线”，例如从180nm到28nm的微电子、微波电子、光子学和电力电子。一些开发的技术还将用于光掩模生产和电子模块组装。
虽然该计划的战略目标看起来很明确（到2030年，以25.4亿美元实现70%的芯片制造工具和原材料的本地化），但细节看起来相当模糊。
预计到2026年底的重要里程碑之一是开发用于350nm和130nm工艺技术的光刻设备，以及用于150nm生产节点的电子束光刻设备。此外，该国计划在几年内通过化学气相沉积设备开发其外延。此外，到2026年底，俄罗斯工业和贸易部希望国内半导体行业能够生产硅锭并将其切割成晶圆。
到2030年，俄罗斯的目标是生产能够处理65nm或90nm工艺晶圆的国产光刻系统。这将大大提高该国生产微电子产品的能力，但仍将落后该行业25~28年。
