1、前Arm CEO批评英国未能留住顶尖科技公司
2、扬帆共济，鼎力创新，新思科技携手生态伙伴共创芯质未来
3、传三星3纳米良率20% 谷歌明年将把Tensor G5生产转移到台积电
4、富士康或斥资3720万美元 与HCL在印度设立OSAT公司
5、Tower Semiconductor 与 Broadcom 合作推出Wi-Fi射频前端模块，树立RFSOI新标准
6、三星量产1Tb QLC第九代V-NAND芯片
1、前Arm CEO批评英国未能留住顶尖科技公司
英国芯片设计公司Arm的前CEO表示，英国在全球技术商业化方面做得很差，投资者需要转变思维方式才能在世界舞台上取胜。
在剑桥科技周的主题演讲中，曾在1994年至2013年期间领导Arm的Warren East表示，有人批评英国经济增长乏力和人均GDP低迷是国家“尴尬”的根源。
他补充说，由于在英国难以实现全球影响力，在英国取得规模效应的公司往往会将地点转移到国外或在美国等国家/地区上市。
Warren East目前是托卡马克能源公司董事会的非执行董事。他表示，英国“需要正确实现商业化”，并补充说，英国产生了很多创新，但随后却出口到世界其他地方。
Warren East表示，“不幸的是，所有在英国制造的优秀产品，都随后在其他地方商业化和开发利用，这是一个普遍现象”。他补充说，他没有解决这一问题的“灵丹妙药”，但他建议英国需要鼓励更多的“风险偏好”来支持高增长科技公司。并且称，美国投资者的风险偏好高于英国。
Warren East指出，英国企业家和风险投资公司一直在推动改变资本市场规则，以允许更多养老基金投资于初创企业并“刺激英国的风险偏好”。
2023年，Arm在美国纳斯达克上市，这对英国官员和伦敦证券交易所希望促使更多科技公司在英国上市的雄心造成了重大打击。Arm的芯片架构可用于全球大多数智能手机处理器。该公司仍由日本科技巨头软银持有多数股权。
2、扬帆共济，鼎力创新，新思科技携手生态伙伴共创芯质未来
同舟共济扬帆起，乘风破浪万里航。
9月11日，新思科技2024年博思会圆满举办。新思科技总裁兼首席执行官盖思新（Sassine Ghazi）先生和新思科技全球资深副总裁兼中国董事长葛群先生携新思科技的全球及中国区领导层，与新思科技的合作伙伴们和行业领袖们共同探讨万物智能时代，芯力量加速推动新质生产力变革与发展的全新范式。
葛群先生表示，我们很荣幸每一年都能够邀请新思科技全球总裁兼首席执行官盖思新先生参加博思会之夜，与我们的合作伙伴和中国区管理层们面对面深入交流，亲自感受中国市场的澎湃发展活力。当前，AI、智能汽车、智能制造乃至生物医药等各行各业正在加速发展新质生产力，其源头在于科技创新，而芯片产业正是科技创新的最底层发动机。新思科技将持续技术创新，与合作伙伴们携手推动芯片+千行百业融合，以“芯”质生产力助推千行百业的新质生产力发展，共创芯质未来。
新思科技全球资深副总裁、新思中国董事长兼总裁葛群先生
盖思新先生分享了半导体行业面临着芯片复杂性日益增长，生产力提升遭遇瓶颈以及芯片与系统融合三大挑战。为此，新思科技推出了“从芯片到系统设计解决方案”的创新设计范式，通过全球领先的AI驱动型EDA全面解决方案Synopsys.ai和电子数字孪生技术、广泛且经验证的IP产品组合、以及3DIC系统设计解决方案，全面助力AI、智能汽车、智能制造等前沿科技领域应对挑战，大幅提升他们的研发能力和生产力。他强调，中国科技产业高速发展推动着全球范围的深刻科技变革，加速万物智能时代的进程。作为从芯片到系统设计解决方案的全球领导者之一，新思科技将继续与科技产业链上下游的合作伙伴携手共进，共同开启一个全新的万物智能时代。
新思科技总裁兼首席执行官盖思新（Sassine Ghazi）先生
未来，新思科技将将继续秉承“Our Technology, Your Innovation”的理念，与全球客户共同探索科技创新机遇，赋能各行各业加速发展新质生产力，让明天更有新思！
3、传三星3纳米良率20% 谷歌明年将把Tensor G5生产转移到台积电
去年，三星电子成功获得了谷歌的Tensor G4处理器订单，使人们对三星将继续生产谷歌下一代移动应用处理器（AP）充满期待。然而，最近的事态发展表明这种合作关系发生了转变。
据业内人士9月13日透露，谷歌明年将移动应用处理器的生产从三星电子转向台积电的可能性越来越大。明年发布的谷歌智能手机 “Pixel 10”系列将搭载下一代移动应用处理器“Tensor G5”，预计将采用台积电的3纳米工艺生产。
此前，谷歌委托三星电子代工生产其上个月发布的“Pixel 9”系列智能手机所使用的移动应用处理器“Tensor G4”。不过，有报道称，谷歌和台积电已经进入了Tensor G5的全面量产阶段。移动应用处理器是关键的半导体芯片，是智能手机的大脑，对整体性能有重大影响。
据报道，谷歌可能转向的主要原因之一是三星电子的良品率低。业内分析认为，三星的3纳米工艺良品率仍为20%，低于台积电。有报道称，“台积电在3纳米工艺方面要比三星有优势”。
有猜测称，谷歌将终止与三星电子代工厂的合作，转而与台积电合作生产移动应用处理器。主要原因似乎是三星电子的 “良品率不稳定”，这被认为是其最大的问题。在三星电子急需确保代工客户的情况下，将谷歌这样的大客户拱手让给台积电可能会扰乱其订单战略。
此外，预计谷歌将在下一代“Pixel 11”系列智能手机中使用台积电的2纳米工艺生产移动应用处理器“Tensor G6”。这表明，谷歌未来继续委托台积电而非三星电子生产应用处理器的可能性越来越大。一位业内人士评论说："如果谷歌与台积电合作，可能需要相当长的时间才能回到三星生产。提高良品率以证明产品性能是最好的做法。”
此外，据预测，明年发布的“Galaxy S25”系列应用处理器将采用高通公司的“Snapdragon（骁龙）”应用处理器，而不是三星的“Exynos”。这可能会进一步减少三星代工厂的收入来源。业内专家认为，三星如何快速提高良品率是确保代工客户的关键因素之一。市场对三星代工厂的信任度仍然很低，因此提高良品率迫在眉睫。
三星电子曾表示：“我们正基于稳定的性能和良品率平稳前进。”这表明他们正在加快努力提高良品率。不过，如果谷歌巩固与台积电的合作关系，三星电子的代工客户收购战略在可预见的未来可能会面临重大挑战。
4、富士康或斥资3720万美元 与HCL在印度设立OSAT公司
据知情人士透露，富士康与IT服务巨头HCL集团的合资企业已获得约30英亩土地，位于印度北方邦诺伊达即将建成的杰瓦尔机场附近，用于设立外包半导体组装和测试 (OSAT) 部门。
他们补充说，如果该拟建部门获得印度中央政府批准，它将成为北方邦首个此类项目。
消息人士称，富士康可能投资3720万美元（当前约2.64亿元人民币），持有该合资企业40%的股权，它已允许大股东 HCL集团决定部门的选址。
“HCL表示，它更倾向于北方邦，因为其总部位于诺伊达，将拥有强大的本土优势。并强调，它在该邦拥有强大的基础，熟悉的地理位置将使管理更加顺畅。”知情人士表示。
专家认为，北方邦是HCL和富士康建立业务的“理想选择”。
CyberMedia Research副总裁Prabhu Ram表示：“北方邦政府的激励措施，包括大量资本和利息补贴，以及土地和基础设施支持，使其成为OSAT投资极具吸引力的目的地。”他认为该邦“完全有能力成为半导体制造的领先中心”。
在周三（9月11日）举行的Semicon India 2024开幕式上，北方邦首席部长Yogi Adityanath表示，位于他所在邦的手机制造厂目前生产着印度制造的55%以上的手机和一半以上的手机零部件。
HCL集团-富士康合资企业仍在等待印度半导体代表团 (ISM) 的批准。
一位消息人士表示：“ISM要求两家公司提交OSAT技术文件或技术协议，目前双方都在为此努力。”
“一旦他们提交，两三周内应该就会得到批准。ISM表示，这份文件只是一种形式，必须提交，但批准会到来的。”
今年1月初，HCL集团和富士康宣布合资在印度设立OSAT部门。当时，消息人士称该部门的总投资可能在1亿至1. 5亿美元之间。富士康与HCL的合作发生在其退出与 Vedanta成立的195亿美元合资企业（该合资企业旨在在印度生产半导体）不到一年之后。
5、Tower Semiconductor 与 Broadcom 合作推出Wi-Fi射频前端模块，树立RFSOI新标准
2024 年 9 月 10 日，以色列 MIGDAL HAEMEK ——高价值模拟半导体代工解决方案的领先厂商 Tower Semiconductor（纳斯达克股票代码：TSEM）宣布，基于其先进的 300mm RFSOI 技术的 Wi-Fi 7 射频前端模块 (FEM) 器件已正式投产。通过与 Broadcom 公司（纳斯达克股票代码：AVGO）的合作，Tower实现了将Wi-Fi FEM 器件集成在单个 RFSOI 芯片上。与现有的非 SOI 技术相比，这一创新解决方案具有卓越的性能和效率，为先进移动应用市场树立了新的标准。
“凭借 Tower RFSOI 技术的独特优势，Broadcom 为 Wi-Fi 7 移动应用市场设计并推出了一系列紧凑型高性能 FEM。”Broadcom 无线通信与连接市场副总裁 Vijay Nagarajan 表示。“这些 FEM 是我们与 Tower 长期合作的成果，是专门为移动 Wi-Fi 应用对于尺寸、能效的严格要求而量身定制的。”
“我们很高兴能与 Broadcom 这样的市场领导者合作，扩展 Tower 领先的 RFSOI 平台，实现集成前端模块设计的创新架构选项，包括一些用于LNA 和功率放大器的特殊器件，以及用于缩小逻辑面积的高栅密度标准单元。”Tower Semiconductor 总裁 Marco Racanelli 博士表示。“Broadcom 在射频 FEM 产品设计方面的一流能力与我们的技术优势相辅相成，从而使两家公司都实现了前所未有的性能和集成度。这种合作关系凸显了我们与客户保持一致的路线图和推进突破性产品的决心，也加强了 Tower 致力于提供卓越技术和制造解决方案、助力客户获得成功的决心。”
这种高度集成的工艺缩小了芯片面积，同时还支持新功能和新频段。Tower 的 RFSOI 技术平台具有同类最佳的硅基开关和低噪声放大器性能，已在行业内广泛应用。将功率放大器集成到该技术中，可消除在独立的芯片之间传递信号所带来的额外损耗，而高电阻率 SOI 基底面可支持电感器等无源元件，从而以更高的品质因数提高功率放大器的效率。
有关 Tower 射频和 HPA 技术平台的更多信息，请点击链接了解更多。
6、三星量产1Tb QLC第九代V-NAND芯片
全球最大的存储厂商三星宣布已开始量1Tb QLC（四层单元）第九代V-NAND芯片。这是全球第一家使用这项新技术开始量产存储芯片的公司。
继2024年4月制造出全球首款TLC（三层单元）第九代V-NAND芯片后，三星已开始量产QLC第九代V-NAND存储芯片。TLC指的是每个存储单元能存储三位数据，而QLC可以存储四位数据。
凭借这一举措，三星巩固了其在高容量和高性能存储芯片领域的领导地位。为了实现这一目标，三星推出了多项新技术和新工艺，包括通道孔蚀刻、设计模具、低功耗设计和预测程序。
通道孔蚀刻：该技术用于堆叠模具层，然后创建一个孔（通道孔），电子可以一次通过该孔移动。这种双层堆叠结构带来了更高的存储密度。与上一代QLC技术相比，其位密度提高86%。
设计模具：控制操作单元的字线（WL：控制晶体管开启和关闭状态的布线）的间距，并将它们层压以优化和统一单元。它通过将数据保留率提高20%来提高可靠性。
预测程序：预测单元状态的变化并最大限度地减少不必要的单元操作。利用这项技术，三星分别将读取和写入数据时的功耗降低30%和50%。
三星计划未来使用这些QLC V-NAND闪存芯片来制造消费级和服务器SSD以及用于移动设备的UFS存储。
三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代V-NAND成功量产，这使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增强，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固我们在该领域的领先地位。”
