有消息称，三星电子将于今年年底开始其第6代高带宽存储器HBM4的流片工作，这是为明年年底12层HBM4产品量产所做的前期工作。
流片是半导体设计的最后一步，这意味着将设计图纸交付给半导体代工厂。因为还制作了光掩模，所以它们也被称为掩模流片（MTO）。
HBM4测试产品预计最早于明年初上市，最终的测试产品在流片后需要3~4个月的时间能出来。据悉，三星电子将在验证首次生产的HBM4产品的运行情况后，进行设计改进和工艺改进。之后，预计将对主要客户进行产品抽检。三星电子的一位官员称“很难回答有关产品路线图和相关时间表的问题。
SK海力士也计划在明年下半年实现12层HBM4产品的量产。
两家公司都从HBM4开始，将使用代工工艺而不是DRAM工艺来生产逻辑芯片。据报道，二星电子计划使用其4nm代工工艺大规模生产逻辑芯片，而SK海力士计划使用台积电的5nm和12nm工艺大规模生产逻辑芯片。
在内存核心芯片方面，三星电子已确认将使用第六代10nm（1c）DRAM，但SK海力士的工艺介于第五代10nm（1b）DRAM和1c DRAM之间。SK海力士负责HBM开发的一位主要员工解释说：“在内部，我们决定使用1b DRAM作为HBM4的核心芯片，”并补充说，“在听说三星电子正在为HBM4使用1c DRAM后，我们正在考虑是否在内部使用1b DRAM或1c DRAM。”（校对/孙乐）
