中科同帜“一种芯片真空压力烧结炉”专利获授权

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天眼查显示,中科同帜半导体(江苏)有限公司近日取得一项名为“一种芯片真空压力烧结炉”的专利,授权公告号为CN221403859U,授权公告日为2024年7月23日,申请日为2023年10月24日。

本实用新型涉及芯片压力烧结炉技术领域,提供一种芯片真空压力烧结炉,包括炉主体,所述炉主体后方设置有风扇组件,所述炉主体内部设置有加热系统,所述风扇组件用于对所述炉主体内部空气循环,所述风扇组件的下方设置有真空系统,所述真空系统用于对所述炉主体抽真空,风扇组件保证了炉主体的空气流动,保证了炉主体的受热均匀,提高了产品质量。


责编: 赵碧莹
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