近期，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN（氮化镓）电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。
西安电子科技大学广州研究院李祥东团队与广东致能科技公司联合攻克了≥1200V超薄GaN缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过2V、耐压达3000V的6英寸蓝宝石基增强型e-GaNHEMTs晶圆，展示了替代中高压硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潜力。 相关研究内容刊发于新出版的IEEE Electron Device Letters（国际电子技术与信息科学工程师协会主办的《电子器件通讯》）上，并入选封面highlight论文。
发表成果论文期刊与研发的GaN（氮化镓）电力电子芯片及性能参数。论文作者供图
在该项目的研究中，西安电子科技大学广州研究院还研发成功了8英寸GaN（氮化镓）电力电子芯片。其相关内容发表在IEEE Transactions on Electron Devices（国际电子技术与信息科学工程师协会主办的《电子器件学报》）上，并被国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today（《今日半导体》）专题报道。 该研究结果在国际上首次证明了8英寸蓝宝石基GaNHEMTs晶圆量产的可行性，并打破了传统GaN技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，将有望推动≥1200 V中高压氮化镓电力电子技术实现变革。
