存储大厂美光日前宣布，其多重访问双列直插式存储模块 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM） 开始送样。MRDIMM让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥运算基础架构的最大价值。
美光科技表示，针对存储需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光MRDIMM的性能更胜目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM，达到最高带宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦性能，加速存储密集型如虚拟化多租户、高性能计算（HPC）和AI数据中心等的工作运行。当前开始送样的存储是美光MRDIMM系列的第一代产品，可以与Intel Xeon 6处理器兼容。
MRDIMM技术采用DDR5的物理与电气标准，带来更先进的内存，每内核的带宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，更满足数据中心工作负载日益成长的需求。相较于RDIMM，MRDIMM具有以下优势，包括内存有效带宽提升多达39%、总线效率提高15%以上、并且延迟降低高达40%。
另外，MRDIMM支持从32GB到256GB的容量范围，提供标准尺寸和加高尺寸（TFF）两种规格，适用于1U和2U高性能服务器。而TFF模块采用先进散热设计，在相同功率和气流条件下，DRAM温度可降低20°C之多，进而提升数据中心的冷却效率，并优化存储密集型工作负载的系统总能耗。
而美光领先业界的内存设计使用32Gb DRAM晶粒制程技术，只需花费16Gb晶粒制程128GB TFF MRDIMM的功耗即可享受256GB TFF MRDIMM的性能。在最高数据传输率下，256GB TFF MRDIMM的性能较同容量的TSV RDIMM提升35%。采用256GB TFF MRDIMM，数据中心可享受前所未有的整体拥有成本（TCO）优势，大胜传统TSV RDIMM。
美光副总裁暨运算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的创新主存储解决方案MRDIMM以更低的延迟提供业界迫切需要的高带宽与大容量，有助在下一代服务器平台上实现大规模AI推论和HPC应用。英特尔副总裁暨Xeon 6数据中心产品管理总经理Matt Langman也表示，MRDIMM采用DDR5接口和技术，能与现有的Xeon 6 CPU平台无缝兼容，为客户提供选择弹性。MRDIMM为客户带来更高带宽、更低延迟，以及多种容量选择，适用于HPC、AI及其他大量工作负载，这些工作负载一样都能继续运行在支持标准DIMM的Xeon 6 CPU平台上。
美光MRDIMM现已上市，并将于2024年下半年开始大量出货。
