英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法”专利获授权

天眼查显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司近日取得一项名为“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN106449375B，授权公告日为2024年7月5日，申请日为2016年12月26日。

本发明涉及一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层以及设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本发明通过在氮化铝中掺杂一定浓度的硅，在硅衬底上中生长包含硅掺杂氮化铝层的籽晶层，硅掺杂氮化铝与硅原子的晶格失配数比较接近，硅掺杂氮化铝层在硅基底上更好的成长，可以有效的阻止硅由衬底扩散进入氮化镓外延层，减少了硅与氮化镓的反应，改善了氮化镓或氮镓铝/氮化镓薄膜的品质，提高了半导体器件的工作性能。