【扩建】法院裁定ASML荷兰总部扩建计划可继续进行；铠侠传7月量产最先进NAND产品；黄仁勋6月套现1.69亿美元

1.法院裁定ASML荷兰总部扩建计划可继续进行

2.铠侠产能满载 传7月量产最先进NAND Flash产品

3.三星开发新的芯片封装技术FOWLP-HPB，以防止AP过热

4.黄仁勋6月抛售130万股英伟达股票，套现1.69亿美元

5.传HBM芯片通过英伟达测试 三星：消息不属实

6.澳洲政府将与亚马逊合作，建设高度安全数据中心

1.法院裁定ASML荷兰总部扩建计划可继续进行

荷兰最高行政法院裁定，半导体生产设备制造商ASML可以继续在Veldhoven（费尔德霍芬）总部进行扩建，驳回临近单位的反对意见。

荷兰最高行政法院表示，有关新设施将导致交通和噪音问题的投诉，不足以停止或改变该项目，该项目已于2022年获得费尔德霍芬镇议会的批准。

法院表示，针对将ASML部分设施在地下施工的建议并不可行，因为ASML将在该地组装的大型机器具有极高的精密性。

法官在裁决中表示：“在组件稳定和包装之前，任何意外移动都会损坏设备。”

费尔德霍芬厂的扩建旨在满足ASML的近期增长需求。

ASML于今年4月份签署了一份意向书，涉及在邻近城市埃因霍温（Eindhoven）北部一个未开发地区进行更大规模的扩建项目，该项目面积足以从2030年左右容纳20000名额外工人。

荷兰埃因霍温市议会6月11日投票通过ASML的扩建计划，34票赞成，6票反对。

此前为挽留这家公司，荷兰国家和地方政府今年3月推出“贝多芬计划”，承诺将提供27亿美元资金，用于改善埃因霍温地区的交通、住房等基础设施。

2.铠侠产能满载 传7月量产最先进NAND Flash产品

据MoneyDJ报道，铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。

不久前，铠侠披露了其 3D NAND 路线图计划，其目标在 2027 年达到 1000 层的水平。而三星则计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片，其中铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）将成为这项成就的关键。可见，在 3D NAND 闪存的层数挑战上，铠侠似乎比三星更有野心。

首先是政策和资本扶持，铠侠受益于内存行业的复苏，最近获得了日本政府的补贴和银行财团的额外融资，此外该公司还计划今年年底 IPO 上市，让铠侠有充足的资金，追求技术进步和成本优化。其二是技术演进和积累，铠侠预测到 2027 年 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit / mm2，实现 1000 层。

铠侠雄心勃勃地计划到 2027 年实现 1000 层技术，这是迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而，要达到这一里程碑，就必须从 TLC（每单元 3 位）过渡到 QLC（每单元 4 位），甚至可能过渡到 PLC（每单元 5 位）。其中涉及的技术挑战是巨大的，铠侠能否在 2027 年之前实现这一市场里程碑还有待观察。

3.三星开发新的芯片封装技术FOWLP-HPB，以防止AP过热

三星正在开发一种新的芯片封装技术，以防止应用处理器（AP）过热。消息人士称，该封装在SoC顶部附加一个热路径块（HPB），预计将用于未来的Exynos芯片。

该技术的全名是FOWLP（扇出晶圆级封装）-HPB，由三星芯片部门下的高级封装（AVP）业务部门开发，计划第四季度完成开发，然后开始批量生产。

作为后续产品，三星团队还在开发一种可以安装多个芯片的FOWLP系统级封装（SIP）技术，将于2025年第四季度推出。

两种封装类型都将HPB安装在SoC顶部，而存储器则放在HPB旁边。

HPB是一种散热器，已用于服务器和PC的SoC。由于智能手机的体积较小，该技术目前才被引入智能手机芯片应用中。

如今的智能手机大多使用蒸汽室来容纳制冷剂，以冷却AP和其他核心组件。HPB仅用于SoC。三星正在考虑采用2.5D或3D封装来采用该技术。

端侧人工智能（AI）的日益普及也增加了人们对AP过热的担忧。

两年前，三星因Galaxy S22系列智能手机的过热问题而受到严厉批评。三星试图通过其游戏优化服务（GOS）应用程序来防止这种情况发生，该应用迫使AP降低其性能以防止其过热，但三星却没有告知用户。三星通过改变AP设计并在后续型号上采用蒸汽室来改善这个问题。

4.黄仁勋6月抛售130万股英伟达股票，套现1.69亿美元

英伟达CEO黄仁勋在今年6月出售了价值近1.69亿美元的股票，这是他单月获利最多的一次，因为市场对人工智能（AI）芯片的巨大需求推动英伟达股价创下新高。

这是他今年的第一笔交易，共出售130万股，当时英伟达的市值首次超过3万亿美元。这让英伟达短暂成为全球市值第一公司，并使61岁的黄仁勋财富超过1000亿美元。

根据文件显示，这一系列交易是根据3月份采用的10b5-1交易计划执行的。

英伟达在高端加速器市场占据主导地位，成为AI热潮的最大受益者之一。由于该股自今年年初以来上涨超过150%，黄仁勋的净资产在过去六个月中增长一倍多（增长637亿美元）。根据亿万富翁指数，黄仁勋目前在全球富豪榜中排名第13位，财富达1077亿美元。

他并不是唯一一位抛售股票的英伟达内部人士。今年上半年，英伟达高管和董事抛售了价值超过7亿美元的股票，这一金额远超公司历史上的任何其他时期。

英伟达股价飙升的另一个受益者是黄仁勋的个人基金会。根据黄仁勋基金会（Jen-Hsun & Lori Huang Foundation）最近的纳税申报，根据其在2022年底持有的6900万股股票，该基金会拥有估计超过80亿美元的资金。到目前为止，黄仁勋的大部分个人捐款都捐给了Schwab Charitable运营的捐赠者建议基金。

自2020年初以来，黄仁勋已经套现近11亿美元的股票。其他文件显示，他计划在7月继续出售英伟达股票。

5.传HBM芯片通过英伟达测试 三星：消息不属实

7月4日，有消息称三星电子的HBM3E通过了英伟达的测试。三星随后表示否认，称这一消息“不属实”。

股市方面，截至上午9点20分，三星电子股价报84600韩元，较前一交易日上涨3.42%。

据一家媒体报道，三星电子通过了英伟达HBM3E质量测试（质量验证），预计很快将办理手续，正式开始量产供应HBM。

对此三星电子予以否认，并表示，“公司正在持续进行HBM3E质量测试，有关主要大客户通过质量测试的报道并不属实。”

此前在5月份，三位知情人士表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽存储（HBM）芯片未通过英伟达测试，该测试被迫暂停。但在2024台北国际电脑展上，英伟达CEO黄仁勋表示仍在认证三星公司的HBM内存，否认三星HBM因发热和功耗未通过英伟达测试。

市场对HBM的需求不断飙升。据市调机构TrendForce估算，三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片，预计到今年底前，HBM将占先进制程比例为35%，其余则用以生产LPDDR5（x）与DDR5产品。

6.澳洲政府将与亚马逊合作，建设高度安全数据中心

亚马逊将与澳大利亚政府合作，建设一个用于处理机密信息的云数据中心，具备高度安全特性。澳洲政府称这将提高该国网络能力，并深化与美国的安全合作。

7月4，澳大利亚副总理Richard Marles（理查德·马尔斯）在堪培拉举行的新闻发布会上宣布了这一消息，并表示政府将在未来十年内为新系统投资近20亿澳元（13亿美元）。数据中心的位置及将保存的信息性质未披露。

马尔斯在一份声明中表示，这项尖端技术将增强澳大利亚国防部的应变能力，并将提供多达2000个就业岗位。

根据协议，亚马逊将在澳大利亚建造3个设施，专门用于存储来自该国国防和情报部门的绝密信息。

据了解，亚马逊曾于2021年与新西兰签署了一项价值53亿美元的协议，在新西兰建设类似中心。此外，有消息称英国情报部门也已签约使用云服务来托管存储一些绝密数据。