【增长】传台积电2025年资本支出有望达320亿~360亿美元 同比增长12.5%~14.3%

1.传台积电2025年资本支出有望达320亿~360亿美元 同比增长12.5%~14.3%

2.韩国5月空白掩模出口额猛增46%至256万美元，中国市场占75.3%

3.消息称台积电海外晶圆厂仅贡献10%产能，无需担忧中国台湾产业外迁

4.信越化学将于2028年量产封装基板制造新设备：消除Chiplet中介层需求

5.谷歌宣布入股中国台湾能源公司，将购买300MW可再生能源

6.得一微电子罗挺入选ODCC新一届技术专家组成员，携手推进数据中心存储创新

1.传台积电2025年资本支出有望达320亿~360亿美元 同比增长12.5%~14.3%

日前业界消息传出，因持续加码2nm等最先进制程相关研发，加上2nm后续需求超乎预期强劲，台积电明年资本支出或可达320亿~360亿美元，年增12.5%~14.3%，为历年次高。

法人评估，台积电2025年资本支出恢复小幅年增，估计不影响季度配息。

半导体业评论家陆行之发文表示，“又不小心猜中了”，他强调，“只要2025资本开支维持在35%~40%的营收，都是好事，不会影响年增配息。目前我们预估明年资本开支落在346亿~395亿美元区间”。

台积电向来不评论市场传闻，但重申有关资本支出和2nm的进展以4月法说会的内容为主。

在今年4月份的法说会中，台积电表示，资本支出和产能规划主要是考虑长期的结构性市场需求，预估今年资本支出将介于280亿~320亿美元；2nm将于2025年量产。

此前有市场观察人士认为，在第一季度销售好于预期之后，台积电有可能上调今年的营收和资本支出预期，这证明人工智能推动的强劲增长将持续下去。

2.韩国5月空白掩模出口额猛增46%至256万美元，中国市场占75.3%

据韩国贸易统计促进院数据显示，韩国5月份用于芯片生产的空白掩模出口额较去年同期增长46%，达到256万美元，其中中国市场为193万美元，占总额的75.3%。

空白掩模用于制造在光刻过程中用于在晶圆上绘制电路图案的光掩模。它们类似于胶片相机中的胶片。

光掩模安装在光刻机上，经过光掩模发射到晶圆上的光线就是电路图案。

空白掩模出口的增加源于中国芯片公司（从无晶圆厂到代工厂）数量的增加。

消息人士称，由于需求旺盛，中国代工厂的开工率与韩国同行不同。中国代工厂主要使用成熟节点，而韩国空白掩模被广泛用于这些工艺节点。

根据新韩投资证券的报告，从2023年开始出现光掩模短缺，目前仍在持续。

3.消息称台积电海外晶圆厂仅贡献10%产能，无需担忧中国台湾产业外迁

台积电正在美国亚利桑那州凤凰城取得重大进展，即将在其Fab 21晶圆厂第一阶段开始大规模生产4nm和5nm芯片，并将在2030年前建设更多实施，这将显著提高其生产能力和全球影响力。然而，据报道，台积电在美国、日本和德国建设晶圆厂引发了中国台湾对产业外迁的担忧。

随着台积电在德国、日本和美国等海外地区扩张取得成功，中国台湾方面担心这可能会对地区内产业产生影响，因为该公司中国是台湾的旗舰制造商之一。不过，德国马歇尔基金会的Bonnie Glaser等专家指出，即使台积电全面投产，其海外工厂也只占该公司全球产能的不到10%。

中国台湾的科技行业总体上非常有韧性。一方面，中国台湾科技企业在继续谋求地区内发展，最近有关台积电在中国台湾新建晶圆厂的报道也凸显了这一事实；另一方面，中国台湾公司也在努力实现全球扩张。台积电在亚利桑那州的努力强调了其致力于保持强大的全球影响力，同时继续从中国台湾基地推动技术进步。

在亚利桑那州，台积电投资超过650亿美元，建设其Fab 21晶圆厂的三个阶段。根据美国《芯片和科学法案》，美国政府已承诺向台积电提供116亿美元的财政援助，其中包括66亿美元的赠款和高达50亿美元的贷款。

美国凤凰城的施工现场一片繁忙，每天有大约8000名工人在现场，有时甚至达到12000人的高峰。据报道，员工队伍非常多元化，吸引了来自不同种族背景的人才，因此需要高度重视团队内部的协作和文化尊重。

随着台积电员工在凤凰城定居，他们正在形成新的社区集群，这为当地企业家创造了商机，导致该地区出现了华人超市和餐馆。当地经济正受益于台积电员工及其家属的涌入。

4.信越化学将于2028年量产封装基板制造新设备：消除Chiplet中介层需求

日本信越化学6月宣布，开发了一种全新的半导体封装基板制造设备，和继MicroLED制造系统之后的新制造方法。这项技术放弃先前使用光刻设备来形成布线的传统方法，而是使用激光在基板上蚀刻布线。由于不再需要光刻过程，并且消除了对Chiplet（小芯片封装）中介层的需求，基板制造初期投资将减少一半以上，

信越化学介绍，该系统是一种高性能准分子激光加工系统，通过将半导体前段工艺中使用的“双镶嵌（Dual Damain）”方法应用于后段工艺的封装基板生产，可以将中介层的功能直接集成到封装基板中。它不仅消除了对中介层的需求，而且还实现了传统方法无法实现的微纳加工。由于该种封装基板的制造不需要光刻胶工艺，因此还可以降低成本，减少资本投资。

信越化学自研“双镶嵌”方法布线

如今先进半导体行业前段工艺在纳米尺度方面正逼近物理极限，正寻求通过Chiplet技术来提升性能，该技术需要将多个小芯片封装在中间的基板上并相互连接，这些中间基板被称为中介层。信越化学的“双镶嵌”方法消除了对中介层的需求，通过直接在封装基板上加工并形成与中介转换层功能相同的布线图案，在封装基板上进行小芯片之间的连接。

使用信越化学设备加工的基板断面

信越化学介绍，该技术可以将复杂的电路图案直接挖掘到多层封装基板的每一层中，进入有机绝缘层，并形成镀铜电路。此外，准分子激光可以作为光源，批量形成大面积电路图案。信越“双镶嵌”方法实现了半增材工艺（SAP）方法无法实现的微纳加工，并且能够快速加工通孔，缩短制造时间。该技术可进一步缩短先进半导体制造工艺，并降低成本。

预计信越化学最早将于2028年开始量产这种基板制造设备。

国际半导体组织SEMI数据显示，预计世界半导体后段工艺制造设备的市场规模至2025年将相比2023年增加49%，达到59.5亿美元。业界评论，信越化学在半导体硅晶圆材料、化学等领域拥有较高市场份额，但作为设备制造商起步较晚。该公司拥有长期从事自家化学工厂设计，和制造设备设计的技术，此前也已外销多种设备。未来该公司将把材料和设备技术相结合，力争实现半导体制造工艺创新。

5.谷歌宣布入股中国台湾能源公司，将购买300MW可再生能源

谷歌6月30日宣布，已入股中国台湾永鑫能源（New Green Power），并计划从这家公司购买多达300MW（兆瓦）可再生能源，以帮助减少该公司和供应商的碳排放量。

投资者正敦促企业减少其直接运营或供应链相关的温室气体排放，而大型科技公司行动最为积极。

目前行业对人工智能（AI）数据处理需求的增长导致碳排放量猛增，谷歌全球数据中心能源主管Amanda Peterson Corio表示，中国台湾是谷歌云技术的主要基地，设有数据中心和办公室，但其接近85%的电力仍依赖化石燃料，“这项投资的真正目的是支持中国台湾建设大型太阳能发电设施”，她补充道。

全球投资集团贝莱德气候基础设施业务主管表示，该公司管理的永鑫能源是中国台湾领先的太阳能开发商和运营商之一，这项投资预计将推动其1000MW太阳能建设计划的股权和债务融资。谷歌、贝莱德均未透露这笔投资的金额，和所占股权的比例。

贝莱德表示，中国台湾的目标是到2025年使得太阳能发电能力达到20GW（吉瓦），2025年达到80GW。

谷歌主管Corio表示，谷歌除了将购买的大部分太阳能电力用于自身运营之外，还将向该地区的供应商和制造商提供部分太阳能电力。她补充，与供应商共享清洁能源将有助于谷歌减少所谓“范围3”排放量，即与其价值链相关的碳排放。

6.得一微电子罗挺入选ODCC新一届技术专家组成员，携手推进数据中心存储创新

近日，2024 ODCC夏季全会在辽宁大连顺利召开，得一微电子受邀参会并出席。会上，ODCC新一届技术专家组华彩亮相，得一微电子罗挺入选技术专家组成员，为ODCC和我国数据中心产业的发展建言献策、贡献力量。

ODCC是在中国通信标准化协会指导下，围绕服务器、数据中心设施、网络、新技术与测试、边缘计算、智能监控与管理等内容，打造的具有国际竞争力的生态圈和开放平台，协会定期举办行业会议，不断推动形成行业统一、有国际影响力的规范和标准，已成为数据中心产业发展风向标。

ODCC设立技术专家组，旨在充分发挥数据中心领域技术专家的作用，使各个工作组的技术规范、测试方案等工作做得更加扎实，从而更好地展开各专业技术领域的研究和推广，为我国数据中心新基建的科技创新和产业发展做出更大的贡献

左二 得一微电子专家罗挺

得一微电子专家罗挺经过报名、筛选、评审等流程，成为本次入选的ODCC技术专家组的一员。罗挺长期专注于存储芯片领域，不仅积累了丰富的实践经验，成功主导了得一微电子多款存储控制芯片的产品定义，还参与起草和编写了包括《存储产业标准化白皮书（2022）》、《企业级SSD技术与应用报告》、《企业级RAID卡部件测试规范》等多项行业白皮书和团体标准的制定。

得一微电子始终致力于存储技术的创新与发展，深耕存储控制、存算一体、存算互联等前沿技术领域。公司已成功构建从SATA到PCIe，从eMMC到UFS，从USB到SD等全系列存储控制芯片和存储解决方案。其旗下硅格“SiliconGo”品牌更是提供企业级、工业级、汽车级等全场景高可靠存储解决方案。

人工智能技术的迅猛发展和应用，数据运算量越来越大，存储需求也日益提高。得一微电子紧跟技术趋势，不断突破存储技术创新，积极推进PCIe Gen5，CXL控制器以及存算一体芯片等产品的研发和布局，满足数据中心对高性能、大容量、低延迟的存储需求。 

展望未来，得一微电子不断加深与ODCC的合作，积极推动数据中心产业的标准化工作，为行业的持续发展贡献力量。同时，公司将进一步加大在核心技术上的研发投入，引领存储控制、存算一体、存算互联等前沿技术的创新与发展，为新一代数据中心提供更高效优化的存储解决方案，满足AI时代下的企业级存储需求。（来源： 得一微电子）