ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机,将芯片密度限制再缩小

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ASML再度宣布新光刻机计划。据报道,ASML预计2030年推出的Hyper-NA紫外光机(EUV),将缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。

ASML前总裁Martin van den Brink宣布,约在2030年将提供新的Hyper-NA EUV技术。目前仍处于开发初期阶段的Hyper-NA将遵循High-NA系统,ASML今年初在英特尔奥勒冈厂首度安装High-NA系统。

报导,van den Brink上月在比利时举行的imec ITF World演说指出,“长远而言,我们必须改善我们的光源系统,而且我们也必须采用Hyper-NA。与此同时,我们必须使我们所有系统的生产率提高到每小时400至500片晶圆”

高数值孔径(High-NA)是将数值孔径(NA)从早期EUV工具的0.33 NA提高到0.55 NA。约年前,ASML称,高数值孔径将协助芯片制造商在至少10年内达到2nm以下制程节点。现在ASML表示,约在2030年该公司将提供Hyper-NA,达到0.75 NA。

不过,ASML也澄清,这是van den Brink关于Hyper-NA的愿景,目前该公司仍在进行可行性研究。根据imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法,这是ASML首度将Hyper-NA纳入其路线图。他与ASML合作开发曝光机超过30年。

Kurt Ronse表示,“现在有许多研究要进行,我们能否提高超越0.55至0.75、0.85?Hyper-NA肯定会带来一些新挑战”

责编: 张轶群
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