维安“一种双层侧墙结构的超结功率MOSFET器件的制备方法及超结功率MOSFET器件”专利获授权

天眼查显示，上海维安半导体有限公司近日取得一项名为“一种双层侧墙结构的超结功率MOSFET器件的制备方法及超结功率MOSFET器件”的专利，授权公告号为CN116313807B，授权公告日为2024年5月28日，申请日为2023年2月28日。 

本发明提供一种双层侧墙结构的超结器件的制备方法及超结器件，属于半导体技术领域，包括：步骤S1，提供一超结器件，超结器件具有一栅极多晶硅层；步骤S2，于栅极多晶硅层的侧面形成一具有氧化层和多晶硅层的双层侧墙结构。有益效果：本发明在超结器件的栅极多晶硅层侧壁形成了一个包含有氧化层和多晶硅层的双层侧墙结构，栅极多晶硅层通过侧壁的氧化层与侧壁的多晶硅层新形成一个寄生电容Csr，该寄生电容Csr与原栅源电容并联，从而增大了输入电容，减小了栅极电压的振荡，有效改善了产品的抗电磁干扰能力。