机构:2024年底前HBM将占先进制程比例为35%

来源:爱集微 #HBM#
9815

据市调机构TrendForce估算,市场对HBM需求呈现高速增长,加上HBM利润高,故三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片,预计到今年底前,HBM将占先进制程比例为35%,其余则用以生产LPDDR5(x)与DDR5产品。

以HBM最新进展来看,TrendForce表示,今年HBM3e是市场主流,集中下半年出货。SK海力士仍是主要供应商,与美光均采用1β nm制程,两家厂商已出货英伟达;三星则采用1α nm制程,第二季度完成验证,年中交货。

除了HBM需求占比持续增加,PC、服务器、智能手机三大应用单机搭载容量增长,故先进制程消耗量逐季提升。英特尔Sapphire Rapids、AMD Genoa新平台量产后,存储规格仅能用DDR5,今年DDR5渗透率至年底将超过50%。

新厂方面,三星厂房2024年底产能大致满载,新厂房P4L计划2025年完工,Line 15厂区制程转换,1Y nm转至1β nm以上;SK海力士除了M16明年产能扩大,M15X亦规划2025年完工,年底量产;美光中国台湾厂区明年恢复满载,后续产能扩张以美国厂为主,Boise厂区2025年完工并陆续移机,2026年量产。

TrendForce指出,由于英伟达GB200将于2025年放量,其规格为HBM3e 192/384GB,预期HBM产出将接近翻倍,且紧接各原厂将迎来HBM4研发,若投资没有明显扩大,在产能排挤效应之下,DRAM产品可能供应不足。

(校对/孙乐)

责编: 刘洋
来源:爱集微 #HBM#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...