南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术

集微网消息 南京大学网站4月19日发布《成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术》。该研究成果显示，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。不仅解决了碳化硅切割材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。

据悉，南京大学的技术团队采用激光切片设备可以大大的降低损耗，提升产率。以单个20毫米SiC晶锭为例，采用线锯可生产30片350um的晶圆，而用激光切片技术可生产50多片晶圆。同时，由于激光切片生产的晶圆的几何特性更好，因此单片晶圆厚度可以减少到200 um，这就进一步增加了晶圆数量，单个20毫米SiC晶锭可以生产80多片晶圆。

本项目已完成大尺寸原型激光切片设备的研发，实现了4-6英寸半绝缘碳化硅晶圆的切割减薄、6英寸导电型碳化硅晶锭的切片，正在进行8英寸晶锭切片验证。在切割时间方面更具市场竞争优势，半绝缘/导电型6英寸碳化硅晶锭单片切割时间≤15min；单台年产晶片>30000片。半绝缘碳化硅晶锭单片损耗≤30um；导电型单片损耗≤60um，产片率提升>50%。

在市场应用前景方面，大尺寸碳化硅激光切片设备是未来8英寸碳化硅晶锭切片的核心设备。据调研，激光切片/减薄设备国内需求超过1000台以上，目前大族激光、德龙激光等公司已经投入巨资开发相关产品，但尚未有商品化国产成熟设备销售。本项目研发的设备不仅用于碳化硅晶锭切割和晶片减薄，也可以用于氮化镓、氧化镓、金刚石等激光加工。