东京电子在低温蚀刻设备中使用氟化氢 蚀刻速度提高三倍

集微网消息，晶圆厂设备制造商东京电子的低温蚀刻设备使用氟化氢（HF）。该公司以前使用氟化碳（CF）来对NAND进行蚀刻形成通道孔。

但由于先进NAND（第10代及以上）需要超低温蚀刻，氟化碳的使用预计将大幅下降。

东京电子的套件可以在没有碳的情况下形成钝化层。该层可防止通道孔侧面发生化学反应，从而形成均匀的蚀刻。

这家日本设备巨头还预计将工艺中使用的动量气体从之前的氙气（Xe）和氪气（Kr）改为氩气（Ar）。

其低温设备在-70摄氏度下进行蚀刻，与之前的零至30摄氏度不同，这使得通道孔的蚀刻速度提高了三倍。东京电子去年6月发表了一篇论文，详细介绍了这些内容。

另一个优点是，使用氟化氢意味着碳排放量减少，据该公司称，碳排放量减少了84%。

消息人士称，正在测试该设备的三星电子给予了很高的评价，预计将批量购买这些设备用于生产第10代NAND，因为目前NAND需求较低，而新设备价格昂贵。

与此同时，东京电子表示，计划从2025年到2029年每年雇佣2000名新员工。

（校对/张杰）