武汉新芯“半导体器件及其制备方法”专利公布

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集微网消息,天眼查显示,武汉新芯集成电路制造有限公司“半导体器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年2月20日,申请公布号为CN117577581A。

本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供半导体基体,半导体基体包括第一钝化层、设于第一钝化层上的第一金属层以及第二钝化层,第二钝化层覆盖第一金属层,且第二钝化层具有第一开口,第一开口露出第一金属层的至少部分;在第二钝化层背离第一钝化层的一侧表面设置掩膜图案,掩膜图案露出第一开口;在掩膜图案背离第一钝化层的一侧形成第二金属层,第二金属层覆盖掩膜图案、第一金属层的部分和第二钝化层通过掩膜图案露出的部分;去除掩膜图案和位于掩膜图案上的第二金属层,以形成重布线结构。该方法可以有效去除非必要的金属,不会出现金属残留;同时重布线结构的厚度均一性较好,可以有效降低制造成本。

责编: 韩秀荣
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赵碧莹

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