中国大陆积极扩充半导体成熟制程产能，市场竞争态势升温。中国台湾“经济部”表示，今年补助计划协助IC设计、材料和设备业者迈向先进制程与封装领域，总经费约新台币22亿元，目标为提高IC设计业先进制程产值占比至43%。
大陆先进制程半导体遭美国“卡脖子”，转而积极扩张成熟制程产能，台厂面临竞争压力。市调机构集邦科技指出，大陆在28纳米及更成熟制程扩产动作最积极，预估2027年大陆成熟制程产能占全球比重可达39%水准，进逼台湾地区比重40%。
为引导台湾半导体业者朝先进制程和高值化领域研发布局，避免大陆成熟制程红海市场，中国台湾“经济部”于今年度国科会的晶创计划中获得新台币22亿元经费，透过补助计划，协助IC设计、材料和设备业者迈向先进制程、先进封装。
其中“驱动国内IC设计业者先进发展补助计划”已于去年底公告，申请日期至今年3月29日止，鼓励业者研发16纳米（含以下）芯片，且需结合人工智能（AI）、高效能运算（HPC）、车用等高值化产品应用市场，近期已陆续接获业者洽询了解如何申请。
台湾地区有200多家IC设计厂商，其中不乏小型、新创团队，因此也特别设计补助方案，鼓励多家厂商一起提案进行小批、试量产，增加未来大规模量产成功机会。
中国“经济部”表示，2023年台湾IC设计业使用先进制程产值占比39%，目标为2024年提升至43%，持续巩固台湾半导体产业竞争优势。
在半导体材料和设备方面，产发署官员表示，从2D的平面堆叠朝向2.5D和3D发展，已成为芯片封装技术趋势，因此另有约2亿元经费，补助业者发展异质整合所需的设备和材料。
大陆成熟制程压力来势汹汹，中国“经济部”表示，台湾厂商还是很有竞争力、也很灵活，透过补助计划协助业者迈入更先进制程时一臂之力，也能让业者及早布局利基型市场。
