【良率】蓝思科技抛光机及抛光方法专利公布,可提高良率;京东方公布“像素电路及其驱动方法”相关专利;vivo公布耳机专利,提高信号

来源:爱集微 #专利#
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1.蓝思科技抛光机及抛光方法专利公布,可提高良率

2.京东方公布“像素电路及其驱动方法、显示面板、显示装置”专利

3.vivo公布“耳机和耳机套件”专利,可提高信号接收效果

4.复旦大学:张卫集成电路创新工作室获评“上海市劳模创新工作室”

5.东南大学在Science Advances上报道超薄铁电和多铁材料薄膜研究成果


1.蓝思科技抛光机及抛光方法专利公布,可提高良率

集微网消息,据天眼查信息,蓝思科技“一种多位一体抛光机及抛光方法”专利于2023年11月28日获得授权公告,申请公布号CN116728248A。

专利摘要显示,本发明提供一种多位一体抛光机及抛光方法,涉及抛光技术领域。多位一体抛光机包括机架、下盘组件、移载组件和第一抛光组件;下盘组件包括下抛光件和治具,下抛光件活动设置于机架;移载组件包括移载驱动件、移载臂和固定件,移载驱动件的驱动端连接移载臂,移载臂连接固定件。移载组件能够将产品上料至下抛光件处,由下抛光件抛光产品的底部,以及将产品上料至治具处,由治具接替固定件将产品固定,以便第一抛光组件抛光产品的顶部。无需将产品翻面即可先后完成对产品的底部和顶部的抛光,能够实现两次甚至更多抛光工序之间的无缝衔接,无需频繁周转,有利于提高制程良率。既能提高加工效率,也能优化空间布局,减少占用空间。

据悉,蓝思科技为电子行业玻璃、蓝宝石、金属、陶瓷、触控模组、生物识别等产品制造商,为小米等多个国内、国际品牌服务。公司研发人员超万人,上市以来研发投入近130亿元,目前已获得发明专利371件。

2.京东方公布“像素电路及其驱动方法、显示面板、显示装置”专利

集微网消息,京东方科技集团股份有限公司公开了一项名为“像素电路及其驱动方法、显示面板、显示装置”专利,公开号CN117174029A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,提供了一种像素电路及其驱动方法、显示面板、显示装置,属于显示技术领域。该像素电路包括驱动电路和补偿电路。其中,驱动电路能够向驱动节点传输复位电源信号,以对该驱动节点耦接的发光元件复位;能够向驱动节点传输发光驱动信号,以驱动该驱动节点耦接的发光元件发光。补偿电路能够控制复位电源线在任一时段均提供相同的复位电源信号,即确保向驱动节点传输的复位电源信号的电位稳定性较好。如此,即便一帧内对发光元件进行多次充放电,也能确保对发光元件的可靠复位,避免显示面板出现分屏不均的显示异常。

3.vivo公布“耳机和耳机套件”专利,可提高信号接收效果

集微网消息,维沃移动通信有限公司(vivo)公开了一项名为“耳机和耳机套件”的专利,公开号CN117177123A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本申请公开了一种耳机和耳机套件,其中,耳机包括:壳体、电路板和至少两个天线辐射体,壳体包括耳塞部和耳柄部,电路板与壳体相连接。至少两个天线辐射体包括第一辐射体和第二辐射体,第一辐射体设置于耳塞部,第二辐射体设置于耳柄部,在耳机设于耳机盒时,电路板用于对第一辐射体馈电,在耳机与耳机盒分离时,电路板用于对第二辐射体馈电。通过以上设计,可提高耳机的信号接收效果。

4.复旦大学:张卫集成电路创新工作室获评“上海市劳模创新工作室”

集微网消息,近日,上海市总工会发布《关于命名第十三批“上海市劳模创新工作室”的决定》文件,上海市总工会决定命名100家劳模创新工作室为第十三批 “上海市劳模创新工作室” ,复旦大学微电子学院张卫集成电路创新工作室名列其中。

复旦大学微电子学院消息显示,张卫,中共党员,复旦大学微电子学院教授(博士生导师)、现任微电子学院院长,一直从事集成电路新器件、新工艺和新材料研究。全国五一劳动奖章、上海市先进工作者(劳模)、上海市五一劳动奖章获得者。

张卫集成电路创新工作室团队由27位成员组成,其中国家级高层次人才4人、国家“四青”人才4人,市级各类人才5人。工作室主要致力于集成电路新器件新工艺的研发,开展创新器件的新原理、新材料及新结构的攻关研究,瞄准面向未来5到10年集成电路先进技术节点的关键工艺和器件技术,力争形成一批具有自主知识产权的创新性成果。

该工作室设活动展示室和实验室,实验室建设了六大工艺及测试模块,承担了大量科研项目,成果显著。

5.东南大学在Science Advances上报道超薄铁电和多铁材料薄膜研究成果

近日,东南大学物理学院逯学曾教授在超薄铁电和多铁材料研究方面取得进展,相关工作以“Out-of-plane ferroelectricity and robust magnetoelectricity in quasi-two-dimensional materials”为题发表于Science Advances。铁电材料作为一类非常重要的功能材料,在诸多方面都有应用,比如传感器、压电器件、非易失性记忆存储器件等。随着科技水平的提高,如今电子设备正在不断朝着小型化发展。但随着铁电材料厚度的降低,由表面电荷形成的退极化场会完全抑制面外自发铁电极化,使得铁电材料在实际应用中受到临界厚度的限制。而且,现在的CMOS(互补金属氧化物半导体)架构依然依赖于具有面外铁电极化的材料。所以如何突破这一限制,继续寻找具有面外铁电性的超薄铁电材料是非常重要的研究方向。
针对这一问题,逯学曾教授与美国西北大学James Rondinelli教授合作,通过第一性原理计算结合遗传算法结构搜索方法和声子计算等,在一类具有Ruddlesden-Popper(RP)结构(A3B2X7)的材料中,提出了在超薄薄膜中稳定面外铁电极化的设计思路。他进一步总结出了受对称性保护的强磁电耦合机制,其只存在于具有面外杂化非本征铁电的材料中。鉴于以上发现,逯学曾教授设计出了室温的多铁材料SrTb2Fe2S7,其具有面外铁电性和强磁电耦合性,它的铁电性可能在一个晶胞厚度(~4.5nm)依然存在。
据悉,研究工作为后续寻找超薄铁电和多铁材料提供了方向。本工作第一单位为东南大学,逯学曾教授为第一作者,James Rondinelli教授为通讯作者。

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