【IC风云榜候选企业101】晶通半导体：氮化镓领先厂商，多条产品线齐头并进

【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。

【候选企业】晶通半导体（深圳）有限公司（以下简称：晶通半导体）

【候选奖项】年度最具成长潜力奖

集微网消息，受消费类电子、通信/数据中心电源、新能源汽车等应用的驱动，氮化镓功率器件市场发展迅猛，市场规模快速扩张，国内外厂商受益于此纷纷加快布局，晶通半导体便是其中一员。

晶通半导体成立于2020年，是一家专注于氮化镓功率器件与驱动芯片的国际领先厂商，总部位于深圳，并在瑞士设有研发中心，同时在香港设有子公司。其核心团队来自苏黎世联邦理工学院，具有丰富的产业经验和技术积累。

晶通半导体开发氮化镓功率集成芯片，研发氮化镓功率晶体管、氮化镓续流二极管、氮化镓集成电路、硅基驱动电路、电气隔离、保护电路、检测电路等功率芯粒，并根据市场需求选择性地整合集成至一个芯片内，形成既能充分发挥氮化镓卓越性能又能充分契合客户需求的最佳氮化镓方案。该技术为全球首创的多功能、高效率、高可靠性、高易用性的氮化镓功率集成芯片技术，各项核心技术指标达到了国际领先水平，涵盖包括器件、电路、集成的全要素、全链条创新，具有重大的技术创新性和突破性，能够推动数字电源的跨越式发展，夯实数字基础设施建设的硬件基础。

基于领先的技术实力和强大的产业化能力，晶通半导体的市场竞争力愈发凸显。在高功率电力电子领域，晶通半导体是国内极少数能以器件和驱动共同优化进行设计集成的芯片企业，可为消费电子、工业电源、车规级电源等市场应用带来高能源效率、高可靠性、高集成低成本的优质产品。

目前，晶通半导体的产品主要涵盖工业级、车规级和消费级三个领域，主要产品包括智能氮化镓功率开关、全球首款硅基氮化镓SBD器件、可编程硅基驱动芯片、高性能硅基氮化镓器件等多个产品线，其产品可广泛应用于新能源、新基建等领域，例如通信基站电源、数据中心服务器电源、光伏逆变器、激光雷达及新能源车充电桩等。

在智能氮化镓开关方面，晶通半导体GaN器件+驱动合封(SiP)组件内的集成式智能氮化镓开关（Smart-GaN®）已完成第三次流片，现进行测试验证中。

在低功率快充SiP方面，已完成并对外发表了第一代快充的产品参考设计，并进入第二代快充SiP产品开发,进一步将驱动芯片将由4 mode （Si/SiC/GaN/IGBT）简化为GaN专用驱动, 以进一步优化成本。该公司计划在7月份推出第二代产品，预期能超越行业同行，开始渗透到现有的消费市场快速充电应用中。

在高功率SiP方面，晶通半导体预测，行业领导者将开始在今年推出GaN器件，并计划推出数百瓦级别的产品，市场将逐渐认识到GaN在工业高功率应用中的潜力。

在驱动芯片Driver IC方面，晶通半导体已完成客户送样，可以同时支持驱动IGBT、SiC和GaN三种不同制程工艺的二极管，首批导入的为10-20KW能源储存应用，客户正进行验证，目前客户积极反馈，预计在2023年下半年实现收入，且预计下半年完成第二代驱动芯片的研发。

在GaN SBD方面，已在量产线上跑通了生产工艺，首次生产的样品展现的效能令人振奋，晶通半导体将加快产品研发、测试和送样，2023年有望产生小批量订单。

为进一步扩大竞争优势，晶通半导体与产业上下游积极开展合作。在新能源汽车领域，该公司与知名车企进行战略合作探讨，探索氮化镓开关在激光雷达、OBC、DCDC等方面的应用场景。此外，与X-Fab战略合作进展顺利，持续多项产品的工艺协同开发。在产能支持方面，已获得足够支持公司未来3-4亿元营收所需的晶圆产能。

未来，晶通半导体计划向项目周期更长的电动汽车领域进发，发力车载充电器、DC-DC变换器及主驱的逆变器等。

【奖项申报入口】

2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度最具成长潜力奖】

面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。

【报名条件】

1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；

2、2023年主营业务收入为500万——1亿元的创业企业。

【评选标准】

1、评委会由数百位半导体行业CEO共同组成；

2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”。