日前，半导体芯片生产中的重要工艺设备“薄膜生长”实验装置在武汉通过验收。这项原创性突破可提升半导体芯片质量。
这套“薄膜生长”国产实验装置由“进样腔”“高真空环形机械手传样腔”等多个腔体和“超快飞秒双模成像系统”“超快电子成像系统”等多个构件组成，占地面积20余平方米。
这套自主研制的“薄膜生长”国产实验装置，由武汉大学教授刘胜牵头，联合华中科技大学、清华大学天津高端装备研究院、华南理工大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院微电子研究所等多家单位，历时5年完成。
武汉科技创新消息称，刘胜团队将半导体材料生长装备及测试装备集成设计和制造，攻克多项关键技术难题，设备真空互联，避免人为因素及外部环境对生长材料造成的不良影响，显著提高生长材料的质量。
2023年9月，由三位院士领衔的国家自然科学基金委项目验收专家组，一致同意项目通过结题验收，并表示具有突出的原创性。（校对/刘沁宇）
