近日，商务部转载韩国《STRAIGHTNEWS》新闻指出，三星电子近期完成了在西安建设的半导体二期扩建工程，并正式投入生产。三星电子西安二期项目的投产，达到13万片/月的产能，再加上原来每月12万片的产量，产能将达到25万片/月。西安工厂是三星电子NAND闪存半导体的生产据点。通过此次扩建，三星电子的NAND闪存生产能力将占世界市场的10%以上。
陕西日报消息指出，西安三星半导体一期项目于2012年9月开工建设，2014年5月建成投产，投资总额由建厂时计划的70亿美元增加到实际完成投资108.7亿美元，其中闪存芯片项目投资100亿美元，封装测试项目投资8.7亿美元。
2017年8月30日，西安三星半导体投资70亿美元在西安高新区建设12英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。2019年12月，该公司决定再投资80亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品迭代。（校对/若冰）
