为解决SiC MOSFET 栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低，使得沟道开态电阻过高，能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题。西安交通大学微电子学院耿莉教授、刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合作，提出一种使用低温超临界二氧化碳(SCCO2) 或超临界一氧化二氮 (SCN2O) 流体的低温退火工艺，以提高4H-SiC MOSFET中4H-SiC/SiO2界面的质量。
该研究成果不仅实现高质量的SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性；同时，提出的高效低温退火工艺与标准 SiC MOSFET 制造工艺兼容，为制备高性能SiC MOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制备。
近日，上述研究成果论文在第67届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议（ IEDM）上发表，论文题目为：“超临界流体低温退火工艺实现高性能”。王梦华是学生第一作者，杨明超老师是第二作者，刘卫华教授、耿莉教授和郝跃院士是论文的通讯作者，西安交通大学为第一单位和通讯单位。该工作获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金、西安交通大学基本科研业务费的支持。（校对/若冰）
