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6月10日!台湾交通大学郭浩中教授将于“第三代半导体论坛”剖析氮化镓在光电领域的应用前景

来源:爱集微

#爱集微#

#第三代半导体#

06-08 17:00

半导体材料发展至今,先后经历了三次变革。第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度 Eg>2.3eV)的半导体材料。受益于车用、工业与通讯需求爆发,第三代半导体迎来了风口,已凭借自身的优势逐步应用在Mini/Micro-LED以及紫外LED领域。

为助力我国第三代半导体产业进一步发展,爱集微将于6月10日举行《后摩尔时代下第三代半导体的技术趋势》论坛,届时台湾交通大学郭浩中教授,美国电机电子工程学会会士,美国光学工程学会会士将在论坛将发表以《氮化镓在光电领域的应用前景》为主题的演讲,并从下四个角度展开:    

1.氮化镓技术的优势

2.氮化镓在光电领域的应用现状

3.氮化镓在光电领域的应用前景

4.总结

郭浩中简介:

郭浩中教授现为美国电机电子工程学会会士(IEEE Fellow, 2015)、美国光学工程学会会士(OSA Fellow, 2012)、国际光学工程学会会士(SPIE Fellow, 2013)与工程技术学会会士(IET Fellow, 2012)。师承红光LED之父Nick Holonyak院士及Gregory Stillman院士,专长化合物半导体、半导体镭射、III-V族第三代化合物半导体元件开发与应用,在光电领域拥有超过20年的研究资历,在ACS Nano、ACS Nano Lett.、Advanced Materials、Optics Express, APL, IEEE PTL等国际顶尖学术期刊发表累积发表超过500篇国际期刊及300篇国际研讨会论文,论文引用总数达16738次,H-index指数58,获得国内外专利37件、专书4本,受邀做大会报告和邀请报告100余次,其中有35篇被国际半导体杂志报导。            

主办方:爱集微

协办方:张江高科

时间:2021年6月10日

点击此处,立即报名

(校对/小山)

责编: 木棉

holly

作者

微信:zhaoyueyue117288

邮箱:zhaoyue@lunion.com.cn

作者简介

关注存储、CIS、电源管理IC、驱动IC、专利诉讼等领域。微信号:zhaoyueyue117288

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