【编者按】2021中国IC风云榜“年度最佳技术突破奖”征集现已启动！入围标准深耕半导体某一细分领域，从技术产品主要性能和指标（20%）、技术突破创新性（30%）、应用市场（20%）、销售情况（30%）四个维度进行。评选将由半导体投资联盟129家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委。奖项的结果将在2021年1月份半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
本期候选企业：厦门市三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成”）
伴随5G、物联网等市场兴起，化合物半导体也迎来新的风口。三安光电于2014年5月投资30亿元成立的三安集成，主要从事化合物半导体微波集成电路、光技术芯片和功率电子元件的研发、制造和服务。
将化合物半导体制造平台从LED外延片、芯片，横向拓展到射频、光技术和电力电子领域，三安光电有其先天优势。
三安光电具备20多年的化合物半导体制造经验，拥有规模化外延生长的管理经验与优势。基于对III-V族化合物材料的熟悉，得以将砷化镓、氮化镓等LED芯片主要的材料和工艺，快速拓展到微波射频集成电路（MMIC）代工制造和光通讯芯片制造领域，并成功进入国内龙头企业的供应链。作为三安光电的全资子公司，三安集成是中国首家6英寸化合物半导体晶圆代工厂。也正是三安集成，将三安光电带入全新的第二赛道。
三安集成预见第三代半导体材料尤其是碳化硅的市场潜力，于2020年7月在湖南长沙布局第三代半导体业务，总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。由此建立起横跨材料和市场的化合物半导体大制造平台。
目前，三安集成已通过ISO9001国际质量管理体系认证和IATF16949汽车行业质量管理体系认证，并积极投身国际行业标准制定，是JEDEC JC-70宽禁带功率半导体标准委员会成员。
在迎接新机遇的同时，三安集成也在积极打磨自身技术，筑高护城河。截至目前，三安集成专利和核心技术主要集中在制造工艺层面，拥有近百项覆盖外延生长、芯片制造授权专利。
2020年，三安集成在多个技术领域也取得了突破。
在RF（射频）领域，三安集成开发了H20HG6 砷化镓HBT制程工艺，该技术可应用于3G/4G, Sub-6G, WLAN 功放器件，目前已成功应用在手持通讯终端的功放器件。同时，2020年四季度Duplexer滤波器出货量超过10kk。
在光技术领域，三安集成还推出了25G CWDM DFB芯片系列，其在外延结构等重要技术环节做了特殊的设计，使得25G DFB 在高温条件下具备更好的可靠性，结合高带宽特性，三安集成成为世界上少数可以提供100G/200G LR4 的25G DFB应用的供应商之一。
在电力电子领域，三安集成碳化硅MPS肖特基二极管全系列650V和1200V产品采用混合PiN肖特基二极管（MPS）设计，能提供更好的可靠性和鲁棒性；2020年12月更完成碳化硅MOSFET量产平台的打造，首发1200V 80mΩ MOSFET产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试。得益于其产品特性，三安集成碳化硅功率器件产品可广泛应用于牵引驱动、车载充电、新能源逆变、工业电源、数据中心、PFC、UPS等多领域。
在2021年，三安集成会持续产能扩张，以满足市场的增速需求，泉州基地和长沙项目都会在未来支撑起三安大规模制造平台的优势地位。（校对/图图）
