原材料供应不足,iPhone用3D NAND传落后三星 2 个月

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华尔街日报(WSJ)日文版 16 日报导,NAND 型快闪存储器(Flash Memory)正迎来 10 年一度的需求热潮,也造成做为原料的硅晶圆供应不足,当前库存水准已滑落至历史新低,各家半导体厂商纷纷加快脚步确保供应来源,不过东芝(Toshiba)在确保 2018 年所需的硅晶圆供货协商上,落后给竞争同业,而此恐对其半导体事业带来冲击。

据熟知供应契约协商的业界关系人士指出,东芝竞争同业为进行增产,已同意调涨明年份矽晶圆价格,而东芝则因数件“事情”导致协商落后,也就是说,全球第二大 NAND Flash 厂东芝在变化快速的市场上可能将处于不利情势。SMBC 日兴证券分析师竹内忍表示,截至 2018 年年末为止,12 吋矽晶圆价格很有可能会比 2016 年年末调涨 40% 以上水准。

据报导,在使用于苹果(Apple)iPhone 的 3D NAND Flash 的研发上,和南韩三星电子相比,东芝还落后 2 个月时间。

东芝美国核电子公司 Westinghouse(WH)于今年 3 月声请适用美国联邦破产法第 11 条之后,东芝为求生存,计划以高达 2 兆日圆以上的价格出售半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation,以下简称 TMC)”,不过出售过程却颇为不顺,遭遇合作伙伴、共同营运 NAND Flash 主要据点“四日市工厂”的 Western Digital(WD)的百般阻挠。

WD 15 日宣布,已向美国加州地方法院提起诉讼,要求暂时禁止东芝出售半导体事业。WD 要求,在仲裁法院结果出炉前,禁止东芝出售半导体事业。WD 一直以来皆主张,在没有获得 WD 认可下,东芝不得将半导体事业出售给第三方,WD 并于 5 月向国际仲裁法院诉请仲裁,要求东芝停止半导体事业出售手续。

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