11月7日，华邦电举行零碳家庭日活动，董事长焦佑钧在活动期间就AI数据中心投资景气周期作出上述判断。他指出，人工智能（AI）数据中心投资热潮仍在延续，但繁荣能维持多久取决于资金。过去半年到一年，市场已开始关注云服务厂商大幅扩张资本支出带来的现金流压力；无论AI需求多么强劲，企业终究要考量可动用的资金规模，一旦资金不足，投资速度势必放缓。
焦佑钧表示，2027年、2028年AI数据中心建设需求相对明确，资金与基础设施大多已完成前期安排；按目前建设进度，明年预定投入运营的数据中心多数已完成前期准备，2028年相关需求也有望延续。但他提醒，2029年可能成为下一波景气下行循环的关键时间点，最大限制将来自资金能否持续支撑庞大投资。
他透露，过去一年与云服务厂商（CSP）客户交流时，已了解2027年、2028年的需求与建设进度，但目前尚无客户明确说明2029年的完整投资计划。在他看来，2029年并非注定景气反转，而是AI数据中心投资能否延续高速增长的重要观察关卡——当庞大资本支出逐渐面临资金、土地及电力限制，AI产业能否跨越下一波投资瓶颈，将成为左右半导体景气循环的重要变量。
至于美国中期选举后的政策变化是否影响AI数据中心投资，焦佑钧认为虽可能产生影响，但实际冲击究竟是3%、5%，还是30%、50%，目前无法判断。
针对存储芯片价格持续攀升，焦佑钧表示，任何事情都有极限，存储价格也不例外。面对市场追问价格是否见顶，他直言：“我希望它到顶。”在他看来，存储持续涨价虽有利于原厂获利，却可能伤害手机、个人电脑等消费电子市场需求。“饭不能一家吃”，不能让做AI的厂商把所有饭吃光，其他人却没有饭吃。
他强调，并不希望存储价格继续大涨，因为AI客户或许能承受高价，广大消费者却未必有相同承受能力；存储产业不能只追求短期获利最大化，还必须顾及整体电子产业的健康发展。当涨价开始影响消费者购买意愿，价格上涨带来的效益也可能逐渐接近极限。
行业数据印证了涨价压力之大。2026年开年，DRAM与NAND闪存价格双双创下近十年新高，部分型号累计涨幅超过300%；AI算力基础设施爆发式增长令高带宽存储器（HBM）成为抢手货，原厂将先进产能转向HBM，消费级存储供给被大幅挤压，OPPO、vivo、荣耀等手机厂商已对部分机型调价。2026年二季度，传统DRAM合约价环比上涨58%至63%，传统NAND合约价上涨70%至75%，价格牵引力已从手机和PC转向服务器。
存储周期是否会就此终结？媒体报道指出，微软、谷歌、亚马逊、Meta、甲骨文五家超大规模云厂商贡献了AI服务器采购的绝大部分份额，其资本开支决策直接决定HBM和服务器DRAM的需求曲线；长期供货协议（LTA）虽在短期内抹平波动，但周期并未终结，只是形态迭代。蓉和半导体咨询CEO吴梓豪亦公开表示，AI只是给存储行业打了一剂强心针，存储芯片作为“科技大宗商品”的底层基因并未改变。这与焦佑钧“资金决定景气”的判断相互呼应。
产能规划方面，华邦电自去年下半年启动扩产，设备陆续进厂装机，预计明年起效益明显显现，后年产能进一步接近满载。焦佑钧警示，若景气延长，厂商容易持续建厂，等到市况反转才发现供给过剩，将使下行循环更为剧烈。
针对外媒报道台积电正考虑为英伟达开发3D DRAM、不排除新建厂房或收购既有晶圆厂转型生产的市场传闻，焦佑钧回应称，跨足DRAM须解决技术及专利问题，更要衡量与既有伙伴的关系。
焦佑钧表示，台积电是追求卓越的公司，“不会做半吊子”，倘若决定进军DRAM，应会在技术与人才到位后才对外公布，而非先放出消息、再补足技术；他强调，相关判断仅是个人产业观察，并非掌握台积电内部消息。截至目前，台积电与英伟达双方均未证实上述传闻。
业界分析指出，3D DRAM着重存储单元垂直堆叠，有别于将DRAM芯片堆叠封装的高带宽存储器（HBM），从晶体管、电容结构到材料、蚀刻、制程整合与良率控制，均需长期研发验证；台积电虽具备先进逻辑制程与封装实力，但不能直接等同于掌握DRAM量产技术与专利。台积电正扩充先进制程与封装产能，若另辟存储战线，将牵动资本支出、技术、产能配置与商业模式，短期内自行量产可能性不高。
