在2026年第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式上，晶存集团旗下珠海妙存科技有限公司凭借采用自研主控芯片的UFS 2.2嵌入式存储产品，荣获“优秀技术创新产品奖”。
本届大会于11月1日至4日在横琴及澳门举办，以“智启芯途 协同共生”为主题。
这也是晶存集团旗下产品连续第三年获得“中国芯”奖项：2024年，妙存科技ATM00X系列eMMC存储芯片获得“优秀市场表现产品奖”；2025年，晶存科技LPDDR5X存储芯片获得同一奖项；今年，妙存科技以ATM10X系列UFS 2.2产品获得“优秀技术创新产品奖”，再添一项自主研发成果。
高速读写、大容量，面向端侧AI应用
应用启动、模型文件加载、图片视频保存，智能终端中的这些日常操作，都离不开存储的数据读取与写入。面向AI手机、安卓平板、智能显示终端及AIoT边缘设备，妙存科技UFS 2.2以多档容量与高速读写能力，满足系统、应用及本地数据的存储需求。
产品支持JEDEC UFS 2.2协议，最高支持2-lane HS-G3-B链路，顺序读取速度最高可达950MB/s，顺序写入速度最高可达850MB/s，提供32GB至512GB多档容量规格，采用FBGA153封装。
在选取国际主流厂商同代产品具体型号进行的样品对比测试中，妙存UFS 2.2顺序读取性能与对比产品处于同一量级，顺序写入速度约为其中一款对比产品的4倍，随机读取、随机写入表现均优于所测对比产品。
面对应用安装、系统升级及图片视频保存等突发写入任务，产品通过WriteBooster写入增强机制与SLC缓存，提升写入处理效率。
从自研主控到固件，推动技术突破与量产应用
读写表现的背后，是主控、接口、纠错算法与固件的协同。妙存科技UFS 2.2采用基于国产RISC-V CPU的控制器系统架构，围绕控制器芯片、数字与模拟IP、高速接口、闪存纠错算法及固件开展自主研发，形成从主控设计到固件开发的关键技术能力。
提升性能的同时，产品也注重数据可靠性。第二代LDPC高性能闪存纠错技术通过多级纠错策略，兼顾读写性能与复杂错误情况下的纠错需求；SRAM ECC保护机制则为控制器内部SRAM数据提供纠错保护。相关系列产品经过主流主机平台的实验室兼容性验证及客户量产验证，已实现规模量产，让自研技术走出研发环节，进入终端应用。
作为国家级重点“专精特新小巨人”企业、广东省“单项冠军”企业，妙存科技与澳门大学开展产学研合作，推动琴澳科研资源与产业需求对接，促进研究成果转化。
面向端侧AI应用，妙存科技将持续优化存储产品性能与平台兼容性，结合客户需求开展应用验证，推动自研存储产品在更多智能终端中应用。
