半导体制造巨头三星计划为其位于得克萨斯州泰勒市（Taylor）的晶圆厂每月新增6000片2nm晶圆产能。泰勒厂区是三星在美国建立芯片产能这一制造布局的一部分，该厂区的首座工厂泰勒一厂（Taylor 1）预计将于今年年底投入运营。
与台积电不同——台积电的亚利桑那工厂计划在明年年底前量产3nm芯片、并在2030年前量产2nm芯片——三星计划让泰勒一厂在2026年底前投入运营。该晶圆厂将采用先进的极紫外（EUV）芯片制造设备，生产2nm芯片。
2nm芯片是当前业界最前沿的技术。三星、台积电和英特尔均已在采用这一技术生产芯片，其中台积电在市场份额上处于全球领先地位。
三星和台积电的2nm产品都采用了彼此不同、也不同于前代产品的晶体管设计。两者均基于一种名为环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）的技术；三星则将其技术命名为多桥通道场效应晶体管（MBCFET），其通道材料采用纳米片而非纳米线，并由栅极包裹以控制电流流动。
据报道，三星有意扩大泰勒工厂的2nm产能。报道细节显示，该公司已下达一笔设备订单，使其能够在这座厂区采用先进制程技术，每月新增6000片晶圆产能。
该工厂预计将于今年年底投入运营。报道还称，到2027年下半年，泰勒厂区应具备每月20000片晶圆的产能。这笔新增6000片2nm晶圆产能的最新订单，建立在三星此前旨在实现每月10000片产能的采购基础之上。
据报道，消息人士认为，通过这笔最新投资，在将三星的中试（试产）产能也计算在内之后，泰勒厂区应能达到每月20000片晶圆的最大产能。
