应用材料公司斥资50亿美元打造的硅谷EPIC中心正式揭幕，台积电、英特尔、三星、美光及SK海力士共同担任创始合作伙伴，将工程团队与技术开发需求带进同一座研发基地，加快新材料、设备与制程从研发走向量产。台积电董事长暨总裁魏哲家表示，面向2纳米之后的技术世代，与应材合作将有助提早取得突破性设备技术，推进新架构、低电阻布线及先进封装。
EPIC为设备与制程创新暨商业化中心，位于应材加州桑尼维尔园区，占地60万平方英尺，设有近4英亩先进无尘室。应材表示，这是全球规模最大的半导体制造技术与制造设备协同研发基地，目标是将过去分散进行的材料研究、设备开发及制程整合集中协作，缩短技术导入晶圆厂的时间。
应材总裁暨执行长盖瑞．迪克森（Gary Dickerson）表示，AI基础设施扩张与高效能运算需求，正将芯片制造技术推向前所未有的复杂度。产业必须重新思考合作模式，让芯片制造商、系统设计厂商、设备伙伴与研究人员共同投入，才能加速材料创新，更快实现高量产制造。
应材半导体产品事业群总裁帕布．若杰（Prabu Raja）指出，在原子尺度下，材料及材料界面会呈现不同特性，开发方式已难以沿用传统线性模式。透过客户工程团队在技术导入自家晶圆厂前就参与优化，可提高研发成功率，更早达到高效能与高良率。
魏哲家表示，台积电与应材合作三十年，最先进量产制程从350纳米推进至2纳米，特征尺寸缩小175倍。随芯片制造复杂度呈指数成长，双方合作比以往更加重要；透过EPIC，将共同加速从数据中心到边缘运算的AI创新，推动更高能源效率的AI架构。
英特尔执行长陈立武表示，AI正创造数万亿美元商机，产业须持续推动晶体管、互连布线及先进封装创新。英特尔认为，到2030年单一封装内的晶体管数量将突破1万亿个，随架构复杂度及研发成本上升，与设备伙伴紧密合作，有助提升研发效率并加快新技术上市。
存储芯片厂商也将透过EPIC加快技术开发。美光董事长暨执行长Sanjay Mehrotra表示，资料密集型AI工作负载大幅推升高效能存储芯片与储存需求，材料与制程创新是下一代存储芯片发展的关键，美光将与应材共同推动技术从研究走向规模化量产。
SK海力士总裁暨执行长郭鲁正指出，AI运算的核心挑战，是数据传输速度能否跟上处理器效能提升，必须仰赖更高带宽、更快速度及更大容量的存储芯片。双方将结合先进存储芯片与材料工程能力，因应HBM、DRAM及NAND的重大技术转折。
三星电子装置解决方案事业部技术长宋在赫表示，三星的AI布局涵盖先进逻辑、存储芯片与先进封装，应材在三大领域均具备广泛制程设备技术，透过EPIC可加速共同开发、优化及导入突破性技术。
先进封装也是合作重点。博通半导体解决方案事业群总裁Charlie Kawwas表示，AI下一波发展取决于运算、存储芯片与连接技术能否整合为高效能系统，背后需要先进封装突破。提早参与应材技术与制造能力开发，可让未来系统需求与封装创新更紧密结合。
贝思半导体总裁暨执行长Richard Blickman则指出，混合键合是新一代AI系统的关键基础技术。贝思的高精度裸晶对晶圆键合能力，结合应材前段制程技术，将共同推进高效能3D整合元件，EPIC也将把这种协同开发模式扩展至更多伙伴。
爱德万测试集团执行长Doug Lefever表示，先进3D架构与异质整合发展，使前段制程与后段测试、量测信息的串联更加重要。双方将结合材料工程、制程控制及测试能力，协助客户提升良率、加速量产导入。
SCREEN集团总裁暨执行长后藤正人表示，将在EPIC协同优化关键湿式与干式制程，因应更复杂的3D元件及先进封装结构；铠侠技术长宫岛秀史则表示，未来技术突破有赖存储芯片、逻辑及互连在整合系统中紧密协作，透过跨领域工程团队合作，可加快下一代存储芯片开发。
