研微15亿B轮融资落地，全速攻坚高端薄膜沉积设备国产化

近日，研微（江苏）半导体科技有限公司（以下简称“研微半导体”）顺利完成B轮融资，融资总额近15亿元。本轮融资汇聚多家优质产业资本与头部投资机构，中电科产业基金、中车资本、京东方等相关产业方战略入股；中金资本、沃衍资本、华泰紫金、博华产投、招银 AIC、中银 AIC、厚纪资本、硬核坚果资本、高信资本、山证创新投资、高粱资本等头部机构鼎力加持。与此同时，锡高投、湖杉资本、欣柯资本、典实资本、泰达科投、临芯投资、新尚资本、襄禾资本等老股东持续追加投资，充分体现资本市场对研微半导体发展前景的高度认可。

此次募集资金将继续重点用于核心产品迭代、产能建设及研发扩容，进一步巩固公司在半导体高端薄膜沉积设备领域的技术优势，加速推进设备国产化替代进程。

聚焦薄膜沉积赛道,构建全场景产品矩阵

研微半导体专注于半导体高端薄膜沉积设备研发、生产与销售，精准切入芯片制造核心工序，以高端ALD（原子层沉积）、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）及特色外延设备为核心，产品覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装、功率器件、射频元件等领域，形成全场景产品矩阵，打通研发、工艺验证到量产交付全链条。

Spritz tALD设备性能:

Spritz thermal ALD：广泛应用于HKMG金属层沉积、NAND WL、DRAM bWL和SN区域的薄膜填充。通过先进的进气、混气及匀流系统设计,极大地提升了薄膜均匀性、颗粒控制、设备产能及运行稳定性,从而降低客户综合使用成本。

Fluxus tALD设备性能

Fluxus基于层状流腔体架构，创新性的双腔设计，搭配高产能的 Celeritas-8 传输和智能化的 Exsequi 软件平台，极大地提升了设备的产能和稳定性。此外 Fluxus Thermal ALD 配备了多种先进的核心部件，极大地提升了腔体稳定性、薄膜均匀性、腔体寿命，降低客户综合使用成本。

Perfectus-R RP EPI设备性能

RP EPI：主要应用于异质外延层（SiGe/Si或是SiP/Si)生长。适用于Channel/NMOS/PMOS应用，拥有卓越的电性和缺陷控制；旨在逻辑芯片高端CMOS工艺上提高电子或是空穴的迁移率，进而提升器件性能；同时可应用于硅光领域的纯锗外延生长，是硅光传感器等器件的重要外延工艺平台。