当全球头部存储大厂持续削减DDR4产能、美光缩减NOR产线、MLC NAND供给短缺倒逼企业级硬盘切换SLC方案之际，传统成熟存储市场正经历一场超预期的供需重构。AI服务器对NOR搭载量的提升、企业级存储对SLC NAND的增量需求，叠加供给侧的结构性收缩，共同推动DDR4、NOR Flash、SLC NAND三大品类进入价格持续上行、供给持续偏紧的超级周期。
集微VIP频道近日上线由摩根士丹利发布的报告《Greater China Semiconductors | Old Memory Better to buy more》，围绕DDR4、NOR Flash、SLC NAND三大成熟存储品类的供需紧平衡行情展开，测算2026-2028年各厂商营收、利润与EPS，全面上调全部覆盖公司目标价，并给出多维度供需数据、分企业财务预测与多情景收益测算。
核心洞察：成熟存储进入超预期供给紧缺周期
报告核心结论指出，成熟制程传统存储（DDR4、NOR、SLC NAND）正经历超预期持续性供给紧缺，下游企业开启恐慌性备货，全品类价格上涨周期延续至2026年四季度。
四大供需逻辑形成共振：一是全球头部存储大厂持续削减DDR4产能，产能资源向高端DDR5、HBM倾斜；二是MLC NAND供给短缺倒逼企业级硬盘切换使用SLC NAND；三是美光缩减NOR产能，全球NOR供给集中向中国台湾旺宏、华邦等厂商以及中国大陆兆易创新等厂商集中；四是英伟达Vera Rubin新一代整机柜NOR用量较Grace Blackwell平台提升50%以上。
细分品类供需与价格趋势
DDR4：渠道库存维持两周以内极低水平，月度价格维持两位数涨幅，涨价行情延续至2026年四季度，2027年上半年供给仍难以匹配增量需求。三星、SK海力士、美光逐步退出DDR4成熟产线，南亚科技、华邦电子等成为此轮DDR4涨价周期的核心受益主体。报告将南亚科技2026年三季度DDR4环比涨价预期由此前20%上调至30%。
SLC/MLC NAND：MLC NAND产能供给不足，企业级HDD批量切换至高密度SLC NAND，直接拉动SLC需求持续走强。2026年三季度SLC价格涨幅达50%-60%，涨价趋势延续至四季度。AI数据中心eSSD需求同步拓宽SLC应用场景。
NOR Flash：美光持续缩减NOR产能，全球供给高度集中于旺宏、华邦等厂商。需求端AI服务器Rubin机柜NOR搭载量较前代提升50%以上，叠加Switch2游戏机ROM配套增量。报告预判2026年三季度NOR价格上涨30%-40%，全年维持小幅供给缺口。
全球存储供需量化格局
报告配套多组季度供需数据，统计周期覆盖2023年一季度至2028年三季度：
整体供给趋势：2023年起全球存储总供给持续下行，2025年后供给收缩速度加快；
需求结构：服务器赛道需求占比逐年抬升，成为核心增量来源；
供需差曲线：2025年行业由供过于求转入持续供不应求区间，2026、2027年缺口持续扩大。
风险提示
上行催化：DDR4、NOR、SLC NAND涨价超预期；SLC NAND、AI配套存储落地快于预期；晶圆扩产进度慢，供需缺口进一步扩大。
下行风险：AI算力资本开支不及预期；存储厂商集中新增成熟产线，2027年后供需反转；产能退出放缓；消费电子需求持续疲软；海外大厂延缓产能退出。
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