芯联集成日前发布全新高压功率器件，依托自研8英寸SiC专属工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET产品，目前该定制化器件已送至核心客户开展实测验证工作。
这款3300V SiC器件针对固态变压器SST场景深度开发，适配高压、高功率密度、高可靠运行的严苛工况。固态变压器是AI数据中心大功率供电系统的核心装备，对功率半导体器件耐压、损耗、稳定性要求极高，长期以来适配该场景的高压SiC器件供给存在国产化短板，产品落地将有效匹配下一代算力基础设施电源升级需求。
本次新品是芯联集成多年碳化硅技术研发与晶圆代工能力的综合成果，代表公司在高压宽禁带半导体赛道取得重要技术突破。依托自主可控的8英寸SiC工艺产线，企业打通从晶圆制造到功率器件设计的全链条能力，本次3300V规格产品补齐国内固态变压器核心功率器件的国产化空白，完善本土高压碳化硅产品矩阵。
当前全球智算中心、大型数据中心建设提速，传统供电方案逐步向固态变压器升级，高压碳化硅市场迎来增长窗口。芯联集成自研8英寸产线具备规模化代工能力，本次送样验证完成后，器件可快速导入客户量产环节，缓解国内算力电源产业链对海外高压SiC器件的依赖。
业内分析指出，高压宽禁带半导体是算力供电升级的核心刚需赛道，本土8英寸SiC产线稀缺。芯联集成3300V SiC MOSFET成功推出并送样，夯实公司在高压碳化硅代工与器件研发的行业地位，同时推动AI基础设施电源产业链自主可控进程，充分把握算力基建带来的长期市场红利。
（校对/李正操）
