近日，宏微科技在接受机构调研中表示，公司自4月1日起对部分非核心产品调价，平均涨幅约10%，以应对上游贵金属成本上涨，目前客户接受度良好。
2025年公司研发投入1.15亿元，同比增长5.1%，占营收比重提升至8.56%。SiC领域，自研NCBSiC模块通过海外主流AI服务器厂商整机认证，实现小批量供货，切入高端算力电源供应链；与北京怀柔实验室达成SiC技术成果转化合作，攻关高压大电流SiC芯片。GaN领域，子公司宏微爱赛650VGaNHEMT芯片研发成功。硅基平台，M7i芯片平台实现系列化模块开发，1000V/1200V等级IGBT、FRD芯片稳定量产，1200V800AGWB模块进入工程机械电动化赛道，1200VM7d+FRD新平台损耗再优化约15%。
AIDC业务方面，公司针对AI服务器电源布局高压SST产品及GaN产品，正与国内外头部厂商联合研发、送样。
可控核聚变领域，公司重点布局托卡马克装置，与多家电源厂商及科研院所联合共研高压大电流SiC模块方案，目前处于研发投入阶段，尚未形成规模化收入。
（校对/黄仁贵）
