英诺赛科与安森美宣布合作开发氮化镓/GaN功率器件，旨在扩大市场份额和加速商业化进程。合作涉及研发一体化系统集成、驱动器和封装等方面的专业能力，旨在为客户提供高效且低成本的解决方案。合作有望推动GaN技术在全球范围内的广泛应用，实现更高效率、更小型化的解决方案。

英诺赛科与安森美达成谅解备忘录，寻求合作开发200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，用于生产高性价比、节能高效的解决方案，加速GaN 技术的普及进程。合作涉及集成系统和封装领域的先发优势与英诺赛科成熟的技术能力相结合，旨在推动 GaN 技术的发展和普及。

英诺赛科与安森美半导体正式签署战略合作协议，整合技术资源，加速氮化镓（GaN）技术在新能源汽车、人工智能、数据中心及工业等领域的产业化落地。氮化镓技术有望在未来三年内实现从高端应用到消费级市场的规模化普及。 全球半导体行业迎来重要里程碑，英诺赛科与安森美半导体正式签署战略合作协议，将整合技术资源，加速氮化镓（GaN）技术在新能源汽车、人工智能、数据中心及工业等领域的产业化落地。合作的核心聚焦于发挥双方互补优势：英诺赛科将提供其成熟的8英寸硅基氮化镓制造工艺，该技术具有高功率密度和能源效率的显著特点；安森美半导体则贡献其在系统封装与集成领域数十年的经验，尤其是在汽车电子模块化设计方面的领先技术。通过这种"制造+应用"的双轮驱动模式，双方计划在未来数年实现数亿美元的氮化镓器件销售额。这将显著加速氮化镓技术在多领域的渗透，有助于推动全球能源效率革命。值得注意的是，双方特别强调"生态建设"的合作维度。通过建立从晶圆制造到终端应用的完整产业链协作机制，不仅能够缩短产品迭代周期，更能培育出包括材料供应商、设计公司在内的产业集群。这种生态化发展模式，或将成为未来半导体行业技术攻关的范本。随着合作深化，氮化镓技术有望在未来三年内实现从高端应用到消费级市场的规模化普及。

标题：2025年12月4日，深圳高光时刻！2025行家极光奖颁奖晚宴盛大启幕，数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂，共襄产业盛事。 南京芯干线科技凭借其出色的市场开拓能力和硬核产品实力，成功斩获“第三代半导体市场开拓领航奖”，这是业界对芯干线在SiC/GaN 领域技术创新、场景落地与全球市场拓展的高度认可。 此次与芯干线共同摘得该奖项的，还有意法半导体、罗姆、英诺赛科等全球行业领军企业，印证了芯干线在第三代半导体赛道的领先地位与国际竞争力。 芯干线CEO孔总受邀参与「行家说三代半年会 - 领袖对话」，与行业大咖共话第三代半导体技术趋势与市场机遇，分享芯干线在AI算力、低空飞行、海洋电子等多场景的落地成果。 芯干线以 SiC/GaN 核心技术为支点，持续赋能产业升级，未来可期！ 欢迎垂询电话公司南京总部：025-51180705，深圳分公司：0755-36991759，发E-Mail邮箱：xinkansen@x-ipm.com，联系客服。 联系方式： njxipm

英诺赛科今日盘中涨超7%，本月股价累涨超两成。英诺赛科与安森美半导体宣布，双方达成战略合作，加速推进氮化镓产业的应用与布局。合作有助于未来几年带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在上述关键领域的市场开拓与布局带来先机。国内机器人领域亦有持续发展，有望实现GaN驱动方向。

本文主要探讨了SiC MOSFET与栅极驱动器之间的匹配问题以及如何通过优化导通损耗和开关损耗来提升电压和电流效率。作者强调了选择正确的栅极驱动器对于从所选开关获得良好性能的重要性，并讨论了碳化硅 (SiC) 和 GaN 技术是主流高功率应用的优选开关解决方案。此外，还介绍了 EliteSiC Gen 2 1200 V M3S 系列 22mΩ SiC MOSFET 用于关断时的效率改进情况。最后，作者提出了关于负电压偏置和 EOFF 开关损耗的问题，认为通过有效调整负电压偏置可以防止开关在关断期间导通，从而提高效率。

标题：新微半导体：氮化镓功率全工艺平台年产能突破60000片 摘要：新微半导体宣布其100V-200V氮化镓功率工艺平台发布，并公布公司氮化镓功率全工艺平台的年产能已突破60,000片。这一平台的建成与产能达成，为国内氮化镓功率器件设计提供了强大而可靠的制造基石，将有力推动高效率、高密度电源解决方案在AI计算、汽车电子等关键领域的创新与应用。

英诺赛科侵犯英飞凌氮化镓专利案尘埃落定，美国国际贸易委员会裁定英诺赛科侵权产品禁止进口。这一裁决显示英飞凌知识产权的强大实力，并表明英飞凌坚决捍卫专利组合、维护市场公平竞争的决心。英飞凌将在慕尼黑地方法院对该专利提出侵权诉讼。

英国诺赛科因未经许可使用英飞凌专利而受到制裁。这表明氮化镓在实现高性能、高能效功率系统方面发挥了关键作用。

能华半导体获“年度创新产品奖”两项大奖，其自主研发的GaN HEMT功率器件实现了高效率、高频率、高功率密度的性能突破，为工业级应用开辟了新路径。此次双奖殊荣是对能华半导体持续深耕GaN技术、推动产业发展的最佳肯定。

摘要：美光宣布退出英睿达消费级业务，华邦电子推出16nm 8Gb DDR4 DRAM新品，安森美与英诺赛科就氮化镓推广展开合作，传SK海力士启动定制DRAM代工制造业务，卓胜微拟收购思澈科技85.79%股权，安凯微拟收购思澈科技85.79%股权。这些新产品和新业务的发展将为存储器市场带来新的竞争格局。

本文主要讨论了碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料的特性，并分析了其在不同应用场景下的优势。碳化硅具有较高的禁带宽度和本征载流子浓度低的特点，这使得它在高温环境下具有良好的散热性能，有利于器件的功率密度提升。另外，SiC的高热导率也有助于优化散热设计，从而降低器件的漏电流。SiC的饱和电子漂移速度比Si快，因此响应速度更快，适合在高频下稳定工作。然而，SiC的高临界电场和宽禁带特性也使其在高压下容易出现击穿等问题，需要进行适当的处理以保证器件的安全性。总的来说，碳化硅作为一种新型的半导体材料，具有广泛的应用前景。

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摘要： 这篇文章介绍了一个名为 diffusion 的AI技术，介绍了 diffusion 的历史背景、核心概念、应用场景，并分享了一些相关的研究和开发工作。最后，文章总结了 diffusion 的未来发展趋势和可能的应用场景。

1.思特威成功入选“芯片奥林匹克”ISSCC 2026，高端成像技术再获权威认可2.海外芯片股一周动态：三星HBM4芯片冲刺英伟达认证3.因产能饱和，新莱应材子公司1.57亿元增资控股机器人公司安浦智能4.【IC风云榜候选企业45】思波微竞逐IC风云榜成长潜力奖，以国产“芯片B超”突破高端检测垄断5.【IC风云榜候选企业46】竞逐IC风云榜封装测试领航奖，晶方科技以创新技术树立行业标杆6.【IC风云榜候选企业47】AI时代来临，东方晶源创新点工具破解先进制程良率难题1.思特威成功入选“芯片奥林匹克”ISSCC 2026，高端成像技术再获权威认可11月24日，IEEE国际固态电路会议（ISSCC...

英诺赛科宣布与安森美签署谅解备忘录，共同开发200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力。合作将加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。

这篇报道介绍了GaN 功率半导体产业链的变局，包括欧洲的政策扶持、美国的供应链协同、中国厂商的全球化布局以及头部品牌的知识产权举措。分析指出，这些变化是由一系列事件共同引发的，涉及政策扶持、供应链协同、中国厂商的全球化布局和头部品牌的知识产权举措。文章还提到，未来的几年将更加依赖于整体的体系建设，而不是单颗 GaN 器件的技术优势。

标题：氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）研发成功，有望突破GaN器件散热瓶颈 摘要：氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的研发成功，有望解决GaN器件的自热、提高可靠性和功率性能的问题。同时，通过使用高热导率金刚石构建高效的散热衬底，研究人员成功实现高散热性能的GaN HEMT器件。这一成果以“GaN HEMTs on 4H-SiC/Diamond Engineered Substrate with Enhanced Heat Dissipation”为主题发表在IEEE电子设备 Letters。 关键词：氮化镓，HEMT，金刚石，高热导率，散热，高性能，自热，可靠性，功率性能 正文： 氮化镓高电子迁移率晶体管作为高频、高功率及恶劣环境下的核心器件之一，因其强大的电子迁移率而受到广泛应用。然而，器件功率密度和工作电压不断攀升，导致器件自热问题日益突出。传统的单晶Si或SiC衬底在散热能力方面愈发难以满足需求。利用高热导率金刚石构建高效散热衬底，被认为是解决GaN器件散热瓶颈的理想路径。 最近，微电子所刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等单位团队合作，成功实现了高散热性能的GaN HEMT器件。这一步的研究成果不仅为突破GaN器件散热瓶颈提供了新的技术方案，也为行业的发展带来了积极的影响。 此外，研究人员还发现，氮化镓与Diamond之间严重应力和热失配问题，通过引入一层4H-SiC薄膜进行高温GaN外延过程缓解晶格失配和热膨胀失配。这项方案创新采用了基于表面活化键合（SAB）的薄膜二次转移技术，将厚度约784纳米的4H-SiC薄膜键合转移到金刚石衬底上，可耐受超过1100℃的高温，并在此基板上制备出GaN HEMT器件。这种工艺实现了最高可达98%的键合率，转移后4H-SiC薄膜的XRD摇摆曲线半高宽与体SiC相当，表明薄膜保持了接近本征的晶体质量。 通过上述研究，研究人员已经成功地开发出能够有效降低GaN器件自热、提高可靠性和功率性能的新技术方案。这项成果有望在未来推动GaN器件在各种应用场景中的应用，例如在高微波功率器件中发挥重要作用。 总的来说，氮化镓高电子迁移率晶体管的成功研发，对于解决GaN器件散热瓶颈具有重要的意义。未来，该技术有望进一步拓宽GaN器件的应用领域，为相关行业的健康发展提供有力的支持。

论文研究发现，使用金刚石作为衬底可以显著提高GaN器件的散热性能。同时，通过引入4H-SiC/Diamond复合衬底，可以有效缓解GaN在外延过程中的晶格失配和热膨胀失配问题。这项研究有助于推动GaN器件在高频、高功率及恶劣环境下的应用，从而提升器件的可靠性、功率性能和稳定性。

广东省工业大学、河北工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授课题组联合中国科学院半导体研究所刘乃鑫副研究员、闫建昌研究员课题组，在提升AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）光提取效率、提高空穴注入效率、降低金属/p型半导体界面势垒方面取得重要突破。