9月21日，2026年国际RF-SOI论坛在沪举行。上海硅产业集团股份有限公司常务副总裁李炜发表题为《硅启未来之光》的主旨演讲，围绕市场需求与硅光子价值链、NSIG的SOI部署、NSIG综合硅材料平台等，分享SOI产业的最新趋势与企业战略布局。
AI算力狂奔，硅光站上风口
李炜援引Dell'Oro 2026年8月最新预测：到2030年，全球数据中心资本支出将突破3万亿美元。这一长期预测在本月被大幅上调一倍，背后是AI投资对GPU、服务器、存储、网络、电源冷却以及高速光互连的全面拉动。
然而，传统可插拔光模块正遭遇“成长的烦恼”。李炜指出，多接口耦合带来更高光损耗，多器件稳定温控推高功耗；分立器件单价高、需独立或气密封装，人工密集；传统路线图还导致外形尺寸不断膨胀，难以塞进紧凑光模块。一句话，算力在飞奔，光互连不能拖后腿。
于是，光模块演进路线图清晰铺开：从可插拔，到NPO（近封装光学），再到CPO（共封装光学），最终走向OIO（光学I/O）。NPO把光模块移到主板近ASIC开关，将电距离从大于100毫米缩短至20—50毫米；CPO把光引擎与ASIC共封装在基板上，距离压到10毫米以内；OIO则实现裸片到裸片互连，进入微米级，彻底打破电气I/O带宽和功耗墙。李炜形容，这就像把原本在机房外“绕远路”的光信号，一步步请进芯片身边，让数据跑得更快、更省、更稳。
硅光子正是这条路径的底座。李炜表示，硅光可将波导、调制器、解复用器和光电探测器集成到单个PIC，减少分立元件和复杂光学对准；借助200mm/300mm晶圆制造和晶圆级测试，正建立可复现、可量产的代工模式。平台已支持400G、800G、1.6T、3.2T，并向CPO和光学I/O延伸。
市场数据印证了这股势头。Goldman Sachs 2026年9月报告显示，全球光模块出货量预计从2025年的4.49亿只增至2028年的7.29亿只；硅光渗透率从6%提升至18%；硅光模块出货量从2666万只跃升至1.279亿只，到2028年接近1.28亿只；800G及以上硅光渗透率超过60%。“这不仅是数字增长，更是材料平台的确定性机会。”李炜说道。
“全谱系”平台，为硅光未来筑基
“SOI是理想的光子衬底。”李炜把复杂物理讲得通俗易懂，顶层硅折射率3.47，像核心；埋氧层折射率1.44，像包层；全内反射是光子传输的核心机制。SOI兼具晶圆级集成、CMOS代工兼容、低波导损耗和高折射率对比（n=2）等优势，能利用200mm和300mm CMOS线实现大规模量产和低成本。
NSIG在这条路上已走了25年。从2001年成立中国大陆首家200mm SOI晶圆制造商—新傲，到2026年实现300mm SOI晶圆量产。李炜介绍，NSIG已形成覆盖RF、Power、Logic、Photonics、MEMS的300mm SOI产品组合：RF-SOI高线性、低插入损耗；HV-SOI高可靠、面向高性能计算；FD-SOI超低功耗；Photonics-SOI硅光集成平台；MEMS可控结构顶层硅。从超低功耗逻辑到高性能光学和功率电子，NSIG提供全谱系衬底方案。
“硅光子不是单点突破，而是材料、设计、代工、封装、设备与运营商的协同长跑。NSIG愿做那束‘未来之光’的坚实底座，与产业链伙伴一起，把AI时代的每一束光，都变成可量产、可交付、可依赖的硅基力量。”李炜说道。
