台积电（2330）后市看俏之余，公司也积极携手国际重量级伙伴部署更先进的技术，借此维持领先地位。
全球微电子及相关奈米技术重磅机构比利时微电子研究中心（imec）昨（16）日宣布，携手半导体微影设备龙头艾司摩尔（ASML）与台积电，共同发表一套创新、稳健且可扩充的12吋晶圆整合技术路径，用在基于2D材料的n型与p型场效电晶体（FET），推进12吋晶圆2D材料电晶体开发。
业界看好，相关创新突破，后续可望用于台积电推进埃米世代更先进制程发展，并且对在A10（1奈米）之后的制程材料突破与应用有正面帮助，让台积电坐稳全球晶圆代工一哥宝座。
台积电副总暨技术长曹敏表示，这为推进半导体创新发展提供重要动力，我们聚焦为从实验室迈向晶圆厂的技术转变降低风险和加速进展，确保开创性发现，特别是创新的通道材料，能够快速有效地整合到先进制造，最终提供顶尖的解决方案。
比利时微电子研究中心说明，相关新平台首次展示搭配50奈米闸极间距（CPP）的微型化nFET（采用二硫化钼作为通道材料）与pFET（二硫化钨或二硒化钨），并且取得良好的电流-电压特性。
这些成果象征着2D材料电晶体从实验室迈向晶圆厂的关键进展，预期用于超高度微缩化的逻辑元件，以及后段制程和晶背应用。
2D过渡金属二硫族化物（即TMD，例如二硫化钼、二硫化钨与二硒化钨）有望延伸并扩展逻辑微缩技术的发展蓝图。当这些材料取代矽材，并作为原子级超薄传导通道进行元件整合时，能够制出具备高性能的微缩化电晶体，对高度微缩的逻辑元件、后段制程与晶背应用具备发展潜力。
